公开(公告)号：CN1659691A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813786.0

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN101231473A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810007093.5

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN101398617A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810172709.4

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN100446192C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN03813786.0

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN101398617B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200810172709.4

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。

公开(公告)号：CN101231473B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810007093.5

申请日：2003-09-17

Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会

Inventor： 查尔斯·D·沙佩尔

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B81C1/0046 ,  B29C33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明披露了一种将微观图案从母片复制到基片的方法，其中外形结构的复制品在母片上形成并且当需要时利用各种印刷或压印技术之一转移到接受基片，然后溶解。在转移前利用复制品还可以进行另外的工艺步骤，包括形成纳米结构、微型器件、或它们的一部分。然后当复制品被转移时这些结构也被转移到基片上，并且当复制品被溶解时残留在基片上。在制造集成电路和其它微型器件时，这是一种可以用作补充工艺或代替各种光刻处理步骤的技术。