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公开(公告)号：CN111211348B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010029410.4
申请日：2015-02-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/0525 , H01M50/244 , H01M50/247 , G09F9/30
摘要： 本发明涉及一种电子设备。提供一种适合于便携式信息终端或可穿戴设备的结构。此外，提供一种具有各种外观形状的新颖结构的电子设备。优选在相互重叠且相邻的膜衬底之间设置吸收变形量的差异的缓冲层。缓冲层可以使用凝胶状树脂材料、橡胶状树脂材料、液体材料及空气层等。作为缓冲层，还可以使用偏振膜或滤色片等光学膜。另外，也可以在电子设备中设置多个缓冲层。
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公开(公告)号：CN105654855B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201510847412.3
申请日：2015-11-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 广木正明
摘要： 本发明涉及一种电子设备。本发明提供一种耐用性高的电子设备。本发明提供一种可靠性高的电子设备。另外，本发明提供一种新颖电子设备。一种电子设备包括第一板、第二板、具有柔性的显示部、及具有柔性的蓄电装置，第一板与第二板互相面对，显示部和蓄电装置夹在第一板和第二板之间，显示部具有面对蓄电装置的第一面，第一面具有没有固定到蓄电装置的第一区域，第一区域与显示部所具有的显示区域重叠。
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公开(公告)号：CN104577179B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201410564679.7
申请日：2014-10-22
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/058
摘要： 本发明提供一种适用于便携式信息终端或可穿戴设备的二次电池。另外，提供一种具有各种各样的外观形状的新颖结构的电子设备以及具有适合电子设备的形状的二次电池。该二次电池包括缓和因外力的施加而产生的膜的应力且具有凹部或凸部的膜，其中，在膜的中央部与端部，凹部或凸部的高度不同，并且，膜的端部被粘合层密封。该膜的凹部或凸部利用压制加工，例如压花加工形成。
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公开(公告)号：CN105393395B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201480040490.6
申请日：2014-07-08
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种新颖方式的电子设备，具体而言，提供戴在手臂上使用的手臂佩戴式电子设备。提供戴在手臂上使用的手臂佩戴式二次电池。提供一种电子设备，其包括具有曲面的结构体作为支撑结构体、支撑结构体的曲面上的包括膜作为外包装体的柔性二次电池、以及二次电池上的一对膜之间的包括多个显示元件的显示部。该多个显示元件与二次电池至少部分地重叠。可以提供一种电子设备，该电子设备即使显示部设置在手臂佩戴式二次电池上，也实现1cm或更小的最大厚度及50g或更轻的重量。
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公开(公告)号：CN108390003A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810078237.X
申请日：2013-12-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M2/18 , H01M2/36 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及非水二次电池及隔离体。本发明的一个方式提供一种容易形成电解液对流的二次电池。另外，本发明的一个方式提供一种能够交换电解液的二次电池。本发明的一个方式是一种非水二次电池，其包括：正极、负极、隔离体以及电解液，其中隔离体具有能够使电解液容易形成对流的槽。非水二次电池至少具有一个预定设置方向，当隔离体中的槽采用该预定设置方向时，优选隔离体的槽以垂直于预定设置面的方式形成。另外，外包装体包括：能够对外包装体内部注入惰性气体的第一开口；以及能够从外包装体排出或对外包装体注入电解液的第二开口。电解液交换装置能够从第一开口注入惰性气体并从第二开口排出或注入电解液。
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公开(公告)号：CN1837838B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610019813.0
申请日：2002-05-15
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 广木正明
CPC分类号： G01R19/0084 , G01R1/07 , G01R31/01
摘要： 半导体器件的测量方法、检查方法及其检查装置一种检查方法，借助于消除在布线或探针端子上建立探针的必要而简化了检查步骤，以及一种用来执行检查步骤的检查装置。电压被施加到各个被检查的电路或电路元件，以便使其工作。对各个被检查的电路或电路元件在工作过程中的输出进行信号处理，以便形成包括有关电路或电路元件工作状态的信息的信号(工作信息信号)。工作信息信号被放大，并用被放大了的工作信息信号对分别输入的交流电流的电压幅度进行调制。以非接触的方式读出被调制了的交流电流的电压，从而确定相应的电路或电路元件无缺陷还是有缺陷。
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公开(公告)号：CN100468696C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510083684.7
申请日：2000-10-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在基材上形成至少第一和第二源信号线，所述源信号线在第一方向中延伸，其中第一源信号线被连接到许多的薄膜晶体管，并且第二源信号线被连接到许多的薄膜晶体管；在第一源信号线上形成至少第一条形堤状物，并且在第二源信号线上形成至少第二条形堤状物，其中第一和第二条形堤状物在第一方向中延伸；和在第一和第二条形堤状物之间，在沿着第一方向延伸的至少两个像素上施加包含有机材料的溶液。
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公开(公告)号：CN101241916A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710308172.5
申请日：2002-03-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。
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公开(公告)号：CN100336164C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02156040.4
申请日：2002-12-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/42384 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。
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公开(公告)号：CN1837838A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610019813.0
申请日：2002-05-15
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 广木正明
CPC分类号： G01R19/0084 , G01R1/07 , G01R31/01
摘要： 一种检查方法，借助于消除在布线或探针端子上建立探针的必要而简化了检查步骤，以及一种用来执行检查步骤的检查装置。电压被施加到各个被检查的电路或电路元件，以便使其工作。对各个被检查的电路或电路元件在工作过程中的输出进行信号处理，以便形成包括有关电路或电路元件工作状态的信息的信号(工作信息信号)。工作信息信号被放大，并用被放大了的工作信息信号对分别输入的交流电流的电压幅度进行调制。以非接触的方式读出被调制了的交流电流的电压，从而确定相应的电路或电路元件无缺陷还是有缺陷。
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