发明公开
CN101241916A 半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件的制造方法
- 专利标题（英）： Method for preparing semiconductor device
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申请号： CN200710308172.5申请日： 2002-03-19
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公开(公告)号： CN101241916A公开(公告)日： 2008-08-13
- 发明人: 广木正明 , 山崎舜平
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县厚木市
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县厚木市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 魏军
- 优先权： 79609/01 2001.03.19 JP
- 分案原申请号： 021074747
- 主分类号： H01L27/12
- IPC分类号： H01L27/12 ; H01L27/13 ; G09G3/00
摘要：
本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。
公开/授权文献
- CN101241916B 半导体器件的制造方法 公开/授权日：2011-01-26
IPC分类:
