公开(公告)号：CN100505313C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610099976.4

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN100435280C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610151692.5

申请日：2002-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/30

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684

Abstract: 一种半导体设备，其中具有平整主表面的半导体膜被用作有源层。具有平整主表面的半导体膜(5)其rms小于10nm，P-V值小于70nm，它们分别显示表面粗糙度，该膜通过含有浓度为百分之几、优选是0.1-10原子%的锗的硅膜结晶并用激光照射该膜而形成。在采用促进结晶的金属元素进行结晶的情况下，获得了晶体取向率以及平整度高的半导体膜。

公开(公告)号：CN100352022C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200510006329.X

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN1953148A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610126249.2

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；通过用连续波激光束照射所述半导体薄膜使其结晶；在所述半导体薄膜中形成源区、漏区、LDD区域及沟道区域；利用受激准分子激光器的线性激光束照射所述源区和所述漏区，其中所述连续波激光束是固态激光器的四次谐波。

公开(公告)号：CN1284741A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00122783.1

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 提供激光装置和激光退火方法,利用该装置和方法,可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜,而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器,由其发射的激光被线性化,以增加生产量和降低整个生产成本。此外,用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面,以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1953148B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610126249.2

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；通过用连续波激光束照射所述半导体薄膜使其结晶；在所述半导体薄膜中形成源区、漏区、LDD区域及沟道区域；利用受激准分子激光器的线性激光束照射所述源区和所述漏区，其中所述连续波激光束是固态激光器的四次谐波。

公开(公告)号：CN100336164C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。

公开(公告)号：CN1322561C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN00122783.1

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 提供激光装置和激光退火方法，利用该装置和方法，可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜，而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器，由其发射的激光被线性化，以增加生产量和降低整个生产成本。此外，用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面，以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1901229A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610099976.4

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN1280870C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01137487.X

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；以及通过用连续波激光束照射半导体薄膜使其结晶；其中连续波激光束在半导体薄膜上的照射区域为长宽比大于或等于10的椭圆形；以及其中连续波激光束是固态激光器的二次、三次或四次谐波。