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公开(公告)号：CN100382245C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510099847.0
申请日：2000-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶；构图结晶的半导体薄膜，以形成岛状半导体。或者，可以通过照射YVO4激光器的具有线性形状的二次谐波使半导体薄膜结晶。也可以先构图半导体薄膜以形成岛状半导体，然后照射YVO4激光器的二次谐波，以使岛状半导体薄膜结晶。在这里，YVO4激光器的二次谐波的照射面的形状具有等于或大于10的纵横比。或者，在衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成半导体薄膜，通过照射YVO4激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶，构图结晶的半导体薄膜以形成岛状半导体薄膜，其中绝缘膜含有至少一种选自氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的材料。
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公开(公告)号：CN1285423A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN00126012.X
申请日：2000-08-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0676 , H01L21/2026
Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜,使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下,应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io'满足关系0
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公开(公告)号：CN100565821C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610099648.4
申请日：2000-08-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , B23K26/00 , G02F1/35
Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。
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公开(公告)号：CN1181230C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00126012.X
申请日：2000-08-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0676 , H01L21/2026
Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。
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公开(公告)号：CN1311534A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN00135261.X
申请日：2000-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/768 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78624 , H01L29/78648 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是,借助于制作结晶半导体膜,同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸,将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区,而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜,而不用金属或热导高的绝缘膜,作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差,以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505313C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610099976.4
申请日：2000-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78624 , H01L29/78648 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。
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公开(公告)号：CN100352022C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510006329.X
申请日：2000-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78624 , H01L29/78648 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。
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公开(公告)号：CN1953148A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610126249.2
申请日：2000-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；通过用连续波激光束照射所述半导体薄膜使其结晶；在所述半导体薄膜中形成源区、漏区、LDD区域及沟道区域；利用受激准分子激光器的线性激光束照射所述源区和所述漏区，其中所述连续波激光束是固态激光器的四次谐波。
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公开(公告)号：CN1284741A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00122783.1
申请日：2000-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
Abstract: 提供激光装置和激光退火方法,利用该装置和方法,可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜,而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器,由其发射的激光被线性化,以增加生产量和降低整个生产成本。此外,用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面,以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1953148B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610126249.2
申请日：2000-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；通过用连续波激光束照射所述半导体薄膜使其结晶；在所述半导体薄膜中形成源区、漏区、LDD区域及沟道区域；利用受激准分子激光器的线性激光束照射所述源区和所述漏区，其中所述连续波激光束是固态激光器的四次谐波。
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