公开(公告)号：CN111524967A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010201041.2

申请日：2015-02-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C01G15/00

摘要： 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN102646698B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

摘要： 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN102522372B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110431108.2

申请日：2007-07-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN101425449B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200810169882.9

申请日：2008-10-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  井坂史人 ,  永野庸治 ,  桃纯平

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66772

摘要： 制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化。

公开(公告)号：CN101425455B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN1915572B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

摘要： 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1925109B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610126730.1

申请日：2006-09-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06

CPC分类号： H01L21/02675 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285

摘要： 本发明的目的在于以低成本且高生产率地制造具有优良的电气特性的半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法包括：通过将从单个的光纤激光器发射的激光束照射到半导体膜，使该半导体膜晶化或激活；此外，通过使用耦合器将从多个光纤激光器分别发射的激光束结合为单个的激光束，并且将该被结合了的激光束照射到半导体膜，使该半导体膜晶化或激活。

公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN101118851B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710137344.7

申请日：2007-07-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  井坂史人 ,  神保安弘 ,  丸山纯矢

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC分类号： H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明的目的在于提供一种可以抑制在衬底、基底保护膜、以及结晶硅膜中产生裂缝的结晶硅膜的制造方法、以及半导体装置的制造方法。在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下，优选为大于6×10-7/℃且31.8×10-7/℃以下的衬底上形成含有半导体膜的层，加热该层。接着，对被加热了的层照射激光束，使半导体膜结晶化，来形成结晶半导体膜。形成于衬底上的含有半导体膜的层在上述加热后，含有半导体膜的层的总应力为-500N/m以上且+50N/m以下，优选成为-150N/m以上且0N/m以下。

公开(公告)号：CN101743616A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880022572.2

申请日：2008-06-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  沟井达也 ,  宫入秀和 ,  田中幸一郎

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772

摘要： 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。