公开(公告)号：CN100449712C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03158812.3

申请日：2003-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  高野圭惠 ,  古山将树 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明的目的是提供使激光能量更稳定的激光装置、激光照射方法和半导体器件的制作方法。为此，对振荡器发射的激光束的一部分进行采样，以生成包含激光束的能量波动作为数据的电信号。对该电信号进行信号处理，以计算激光束能量波动的频率、幅度、和相位。光量调节装置的透射比被控制，使得透射比变化的相位与激光束能量波动的相位相反，且幅度能够减小振荡器发射的激光束的幅度，该控制根据与从振荡器发射的激光束的振荡同步的信号的相位与计算得到的相位之间的相位差、根据采样的激光束与从振荡器发射的激光束的能量比率、以及根据计算得到的频率和幅度进行。在光量调节装置中，从振荡器振荡的激光束的能量被调节。

公开(公告)号：CN1581439A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055682.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  下村明久 ,  古山将树

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒。本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。

公开(公告)号：CN101937861A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010254643.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101409221A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810169390.X

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桃纯平 ,  井坂史人 ,  比嘉荣二 ,  古山将树 ,  下村明久

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/03 ,  B23K26/083 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  B23K26/14 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。用通过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体衬底，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体衬底和支承衬底之后，加热单晶半导体衬底，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体衬底分离的单晶半导体层的同时，采用激光束来照射该单晶半导体层。通过经由激光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。

公开(公告)号：CN101425455B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101425455A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173930.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN1581440A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058844.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  古山将树 ,  小路博信

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，及在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。

公开(公告)号：CN1581439B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN200410055682.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  下村明久 ,  古山将树

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明的目的是提供一种使用用于促使结晶的金属元素来控制晶向的结晶方法，其中对具有对准的晶向的结晶半导体膜辐照脉冲激光一次以形成具有小晶粒的结晶半导体膜，在相邻晶粒中对准晶向的有序间隔以栅格图形形成小晶粒。本发明的又一目的是提供一种用于制造结晶半导体膜的方法。鉴于上述目的，本发明提供一种具有以栅格图形形成晶粒的结晶半导体膜，其中相邻的晶粒中晶向对准，并还提供具有该结晶半导体膜的薄膜晶体管。特别地在本发明中，为形成具有相邻晶粒中对准晶向的晶粒，将用于促使结晶的金属元素选择性地添加，以形成结晶半导体膜并且此后优选地辐照脉冲激光。

公开(公告)号：CN101937861B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201010254643.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古山将树 ,  井坂史人 ,  下村明久 ,  桃纯平

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

公开(公告)号：CN101409221B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810169390.X

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桃纯平 ,  井坂史人 ,  比嘉荣二 ,  古山将树 ,  下村明久

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/03 ,  B23K26/083 ,  B23K26/12 ,  B23K26/127 ,  B23K26/14 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 用通过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体衬底，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体衬底和支承衬底之后，加热单晶半导体衬底，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体衬底分离的单晶半导体层的同时，采用激光束来照射该单晶半导体层。通过经由激光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。