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公开(公告)号：CN102646793A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN101026163B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710005807.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , H01L27/12 , H01L27/00 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/12 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L51/0595
Abstract: 提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。
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公开(公告)号：CN100576557C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580040575.5
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L27/283 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器，并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于，半导体器件包括：在第一方向上延伸的多个位线，在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线，具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列，以及设置在存储单元中的存储元件；其中，该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线；该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。
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公开(公告)号：CN101017833A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710008080.5
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/13 , G06K19/07784 , G11C7/062 , G11C7/22 , H01F5/003 , H01L23/49838 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L27/0688 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/285 , H01L33/36 , H01L51/05 , H01L51/0591 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2251/5338 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01Q1/2283 , H01Q1/36 , H01Q9/27 , Y10S257/922 , H01L2924/00
Abstract: 当在线圈状天线部内形成有占有大面积的导电层时，难以稳定地供应电源。通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以防止电流流过存储电路部所包括的占有大面积的导电层，并可以谋求低耗电量。另外，通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以有效地利用空间。因此，可以实现半导体装置的小型化。
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公开(公告)号：CN1992369A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610156237.4
申请日：2006-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C8/08 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C13/0014 , G11C13/0028 , G11C2213/80 , H01L27/285 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0059 , H01L51/007 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有更高功能和可靠性的存储元件的半导体器件、以及一种技术即以低成本及高成品率制造所述半导体器件而不会使工艺和器件复杂化。作为存储元件的形状，使用如下形状：其周边具有凹凸部的矩形；具有一个或多个弯曲部分的“之”字形形状；梳齿形；以及其内部具有开口(空间)的环形等。此外，还可以使用长边和短边的比率大的长方形、长径和短径的比率大的椭圆形等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1307695C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02105132.1
申请日：2002-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026
Abstract: 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜，则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的，在半导体膜中可能出现畸变。这样，在某些情况下，得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明，借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后，用热处理工艺对半导体膜进行加热，降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热，此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此，有可能降低形成在半导体膜中的畸变，从而提高半导体膜的物理性质。
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公开(公告)号：CN1925140A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128855.8
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
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公开(公告)号：CN1870276A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610087813.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L29/0603 , H01L29/78609 , H01L29/78636
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其抑制了由在半导体膜的沟道区的端部中的栅绝缘膜的断开或薄的厚度导致的半导体膜和栅极之间的短路和漏电流，以及该半导体器件的制造方法。多个薄膜晶体管，每一个具有连续地提供于衬底上方的半导体膜、经由栅绝缘膜提供于半导体膜上方的导电膜、不与导电膜重叠提供于半导体膜中的源和漏区，和存在于导电膜下方和源和漏区之间的提供于半导体膜中的沟道区。且杂质区提供于不与导电膜重叠的半导体膜中，且与源和漏区相邻地提供。而且，导电膜提供于沟道区和半导体膜的与沟道区相邻提供的区域的上方。
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公开(公告)号：CN1248295C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02106558.6
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/20
CPC classification number: H01L29/66757
Abstract: 当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。
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公开(公告)号：CN1372308A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105132.1
申请日：2002-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026
Abstract: 提供了一种执行激光辐照的方法作为使半导体膜结晶的方法。但若激光被辐照到半导体膜,则半导体膜同时被熔化并局部膨胀。衬底与半导体膜之间的温度梯度是陡峭的,在半导体膜中可能出现畸变。这样,在某些情况下,得到的结晶半导体膜的薄膜质量就会降低。利用本发明,借助于在用激光执行半导体膜的晶化之后,用热处理工艺对半导体膜进行加热,降低了半导体膜的畸变。比之激光辐照造成的局部加热,此热处理工艺在整个衬底和半导体膜上进行。因此,有可能降低形成在半导体膜中的畸变,从而提高半导体膜的物理性质。
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