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公开(公告)号：CN102629666B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210059430.1
申请日：2006-03-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/54 , C07D209/88 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0058 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L27/3244 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 本发明一个目的是提供能实现优异蓝色色纯度的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。此外，本发明一个目的是提供高可靠的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。本发明解决上述问题的结构是结构式(1)表示的分子中同时具有二苯基蒽结构和咔唑骨架的蒽衍生物。
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公开(公告)号：CN101167196B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200680010458.9
申请日：2006-01-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50 , C07C211/54 , C08F12/08 , C08F12/28 , C09K11/06
CPC分类号： C07C211/54 , C08F112/32 , H01L51/004 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , C08F4/04
摘要： 本发明的目的是提供发光元件用材料或具有足够的空穴注入性质的空穴注入高分子量材料而不使用具有受电子性质的掺杂剂。能达到此目的的本发明的一种材料具有下式(1)所代表的重复单元。在式(1)中，R1代表氢、烷基、氰基或烷氧基，R2代表芳基。所述材料的电离电位为4.9eV或以上和5.4eV或以下。
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公开(公告)号：CN102724780A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210163895.1
申请日：2005-09-05
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 野村亮二
CPC分类号： H01L33/26 , H01L27/3202 , H01L27/3204 , H01L27/3209 , H01L51/5044 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5278 , H01L2251/5361 , H05B33/08 , H05B33/0896
摘要： 本发明涉及光发射器件。本发明的一个目的在于提供较少受光发射元件中引起的故障的影响的光发射器件。发明的另一个目的在于提供将光发射元件串联的光发射器件。关于发明的光发射器件，将每个具有光发射元件和限制器的电路群并联。在这里，将光发射元件和限制器串联。电路的数目可以是至少两个或更多。此外，每个电路群包括至少一个光发射元件。
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公开(公告)号：CN101535510B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780041999.2
申请日：2007-11-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： C22B7/006 , C22B3/10 , C22B11/042 , C22B61/00 , H01L51/56 , Y02P10/214 , Y02P10/234
摘要： 本发明的一个目的是从不再使用的发光元件中收集铱之类的稀有金属。提供一种收集金属的方法，其中对在室温下能从三重激发态发出可见光的有机金属化合物进行加热，或者将包含在室温下能从三重激发态发出可见光的有机金属化合物的发光层的EL层溶解在溶剂中，形成溶液，加热该溶液，用微波进行辐射或用酸水处理。依据上述方法，可以有效地利用稀有金属铱(Ir)或铂(Pt)之类的金属资源。
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公开(公告)号：CN101073125B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580042067.0
申请日：2005-12-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/22
摘要： 半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。本发明的特征是半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有包括第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。
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公开(公告)号：CN101124202B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200580048536.X
申请日：2005-12-22
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： C07D403/10 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
摘要： 本发明的一个目的是提供对反复氧化反应有抵抗性的发光物质。本发明的另一个目的是提供对反复还原反应有抵抗性的发光元件。本发明的一个方面是用通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基；R2表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个，其可具有取代基或没有取代基；Ph1表示苯基，其可具有取代基或没有取代基；X1表示具有6-15个碳原子的亚芳基。
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公开(公告)号：CN102255054A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110191678.9
申请日：2007-07-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/5096 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L2251/552 , H01L2251/558
摘要： 发光元件包括：发光层和在第一电极和第二电极之间的控制载流子移动的层。所述控制载流子移动的层包含第一有机化合物和第二有机化合物，并且提供在所述发光层和第二电极之间。所述第一有机化合物具有电子迁移性能，第二有机化合物具有电子俘获性能。第一有机化合物的重量百分率高于第二有机化合物的重量百分率。当按第一电极的电势高于第二电极的电势的方式施加电压时，所述发光层发光。具有电子迁移性能的第一有机化合物可以被具有空穴迁移性能的有机化合物替代，具有电子俘获性能的第二有机化合物可以被具有空穴俘获性能的有机化合物替代。
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公开(公告)号：CN102127422A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010609289.9
申请日：2006-07-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
摘要： 本发明目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个：含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
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公开(公告)号：CN101694869A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910208251.8
申请日：2005-12-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0072 , H01L51/5092 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 本发明涉及在一对电极之间具有含发光物质的层的发光元件、以及使用了该发光元件的发光装置、电子设备。本发明的发光元件的特征在于：在第1电极与第2电极之间具有：含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物、和对所述菲咯啉衍生物显示电子给予性的物质的第1层；空穴阻挡层；电子传输层；空穴产生层；和含有发光物质的第2层。
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公开(公告)号：CN100566489C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200510128933.X
申请日：2005-12-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0072 , H01L51/5092 , H05B33/14 , Y10S428/917
摘要： 本发明的课题是提供可以减少因化合物的结晶化而引起的工作故障的发光元件。本发明的发光元件之一是在第1电极和第2电极之间有发生电子的层。产生电子的层含有以通式(1)表示的菲咯啉衍生物和金属氧化物。金属氧化物对于以通式(1)表示的菲咯啉衍生物显示电子给予性。在通式(1)中，R1～R5分别表示碳原子数1～4的烷基、或卤基，R1～R5中的至少1个表示卤基。
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