公开(公告)号：CN110998808B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201880050764.8

申请日：2018-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  浅见良信

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H10B41/00 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

摘要： 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。

公开(公告)号：CN112768511A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110088700.0

申请日：2016-01-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 浅见良信

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。

公开(公告)号：CN103107228B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210447115.6

申请日：2012-11-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 坚石李甫 ,  浅见良信

IPC分类号： H01L31/074

CPC分类号： H01L31/074 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且电特性良好的光电转换装置。形成一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：将具有一导电型的透光半导体层用作窗层，具有用来形成p‑n结的导电型的硅半导体衬底或具有用来形成p‑i‑n结的导电型的硅半导体层。作为该透光半导体层，可以使用以属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。

公开(公告)号：CN104638009A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410751970.5

申请日：2006-08-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 铃木恒德 ,  野村亮二 ,  汤川干央 ,  大泽信晴 ,  高野圭惠 ,  浅见良信 ,  佐藤岳尚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0024 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。

公开(公告)号：CN101167189B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200680014616.8

申请日：2006-04-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信 ,  川俣郁子 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L27/10 ,  H01L51/05

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285

摘要： 本发明的目的是提供一种可以低成本、高产量地制造高性能、高可靠性的半导体器件的技术。根据本发明的存储器件包括：含多个绝缘体的第一导电层；有机化合物层，该层位于上述含绝缘体的第一导电层之上；以及第二导电层，该层位于有机化合物层之上。

公开(公告)号：CN101047192B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200710092146.3

申请日：2007-04-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/42324 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/7883

摘要： 非易失性半导体存储器件本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅电极、第二绝缘层和控栅电极。浮栅电极至少包括两层。优选与第一绝缘层接触的第一浮栅电极的能带隙比半导体衬底的小。还优选第二浮栅电极由金属材料、合金材料或金属化合物材料形成。这是因为，通过降低浮栅电极导带的底能级比半导体衬底中的沟道形成区的低，可以提高载流子注入特性和电荷保持特性。

公开(公告)号：CN101043038B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200710087894.2

申请日：2007-03-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7881

摘要： 本发明的目的在于提供一种写入特性及电荷保持特性优越的非易失性半导体存储装置。在本发明中，提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。浮动栅至少为二层结构，与第一绝缘层接触的第一层优选小于半导体层的带隙。这是为了通过使浮动栅的传导带的底部的能级低于半导体层的沟道形成区域的传导带的底部的能级，而提高载流子注入性且提高电荷保持特性。

公开(公告)号：CN101615615A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910165583.2

申请日：2006-01-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 浅见良信

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/91 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78618

摘要： 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中，提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件，该有机化合物夹在电极之间，其中，将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外，由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件，从而，可以实现低成本化。

公开(公告)号：CN101047190A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091492.X

申请日：2007-03-30

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 浅见良信

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L29/788 ,  H01L29/40 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及非易失性半导体存储器件及其制造方法，其目的是提供一种防止由于在蚀刻层间绝缘膜时蚀刻半导体层而导致接触电阻值升高，从而具有优越的写入特性和电荷保持特性的非易失性半导体存储器件及其制造方法。在源区或漏区和源极或漏极布线之间提供导电层。导电层由形成控制栅电极的同一导电层形成。提供绝缘膜以覆盖所述导电层，该绝缘膜具有暴露所述导电层的一部分的接触孔。形成源极或漏极布线以填充接触孔。

公开(公告)号：CN1828903A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006976.5

申请日：2006-01-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 浅见良信

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L28/91 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78618

摘要： 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中，提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件，该有机化合物夹在电极之间，其中，将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外，由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件，从而，可以实现低成本化。