发明授权
- 专利标题： 光电转换装置
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申请号： CN201210447115.6申请日： 2012-11-09
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公开(公告)号： CN103107228B公开(公告)日： 2017-04-12
- 发明人: 坚石李甫 , 浅见良信
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县厚木市
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县厚木市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 柯广华; 朱海煜
- 优先权： 2011-246341 20111110 JP 2011-246346 20111110 JP
- 主分类号： H01L31/074
- IPC分类号： H01L31/074
摘要：
本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且电特性良好的光电转换装置。形成一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：将具有一导电型的透光半导体层用作窗层，具有用来形成p‑n结的导电型的硅半导体衬底或具有用来形成p‑i‑n结的导电型的硅半导体层。作为该透光半导体层，可以使用以属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。
公开/授权文献
- CN103107228A 光电转换装置 公开/授权日：2013-05-15
IPC分类:
