公开(公告)号：CN101043039B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710087895.7

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1237 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7881

Abstract: 非易失性半导体存储装置提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在所述半导体层上提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。形成浮动栅的半导体材料的带隙优选小于半导体层的带隙。形成浮动栅的半导体材料中的沟道形成区域的带隙和半导体层的带隙之间优选有0.1eV或更大的差距，并且前者小于后者。

公开(公告)号：CN100501944C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200410069690.2

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层和包含一种导电型杂质的第二半导体层。

公开(公告)号：CN100464429C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200480031814.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L33/08 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24421 ,  H01L2924/00

Abstract: 采用能够选择性地形成图案的方法，形成构成引线或电极的导电层、以及诸如用于形成预定图案的掩膜等制造显示面板所需的图案中的至少一个或多个，以制造液晶显示设备。能够通过依照具体的对象选择性地排放合成物的微滴来形成预定图案的微滴排放法在形成导电层、绝缘层等时用作能够选择性地形成图案的方法。

公开(公告)号：CN101369401A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN101047192A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710092146.3

申请日：2007-04-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅电极、第二绝缘层和控栅电极。浮栅电极至少包括两层。优选与第一绝缘层接触的第一浮栅电极的能带隙比半导体衬底的小。还优选第二浮栅电极由金属材料、合金材料或金属化合物材料形成。这是因为，通过降低浮栅电极导带的底能级比半导体衬底中的沟道形成区的低，可以提高载流子注入特性和电荷保持特性。

公开(公告)号：CN101043038A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710087894.2

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的目的在于提供一种写入特性及电荷保持特性优越的非易失性半导体存储装置。在本发明中，提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。浮动栅至少为二层结构，与第一绝缘层接触的第一层优选小于半导体层的带隙。这是为了通过使浮动栅的传导带的底部的能级低于半导体层的沟道形成区域的传导带的底部的能级，而提高载流子注入性且提高电荷保持特性。

公开(公告)号：CN1871711A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031537.9

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。

公开(公告)号：CN101567397B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200910136911.6

申请日：2009-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  鸟海聪志 ,  横井智和 ,  古野诚

IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。

公开(公告)号：CN101540276B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910128584.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古野诚 ,  杉山徹朗 ,  野泽太一 ,  一条充弘 ,  田岛亮太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。

公开(公告)号：CN101409236B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200810145697.6

申请日：2008-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  古野诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提高具有包括微晶半导体的沟道形成区域的薄膜晶体管的电特性。该薄膜晶体管包括栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体层、形成在栅极绝缘膜上的具有非晶半导体的微晶半导体层、以及形成在半导体层上的源区域及漏区域。在微晶半导体层中，在导通状态下形成沟道，并包含起到受主的作用的杂质元素。通过等离子体激发化学气相生长法，形成构成第一半导体层的微晶半导体层。当形成微晶半导体层时，由频率不同的两种以上的高频电力使工艺气体激发。