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公开(公告)号：CN101937932A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219834.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。
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公开(公告)号：CN1728900A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087905.8
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04N5/655 , G06F3/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L33/60 , H01L51/0005 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2224/4847 , H01L2227/323 , H01L2251/5323 , H04N5/642
Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的光发射元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。
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公开(公告)号：CN100531495C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510087905.8
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04N5/655 , G06F3/02 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L33/60 , H01L51/0005 , H01L51/5246 , H01L51/56 , H01L2224/4847 , H01L2227/323 , H01L2251/5323 , H04N5/642
Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的发光元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。
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公开(公告)号：CN100342484C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03110587.4
申请日：2003-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18%或更高。
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公开(公告)号：CN1941419A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610137390.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456533B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
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公开(公告)号：CN100485872C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610144562.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , C23C16/24
Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。
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公开(公告)号：CN1293607C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02121623.1
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/00
Abstract: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。
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公开(公告)号：CN102456533A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110354613.1
申请日：2011-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01J37/32 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本发明提供一种使电场强度和气体分布均匀的等离子体处理装置，具有：上部电极与下部电极对置且由室壁罩住的处理室；以及由上部电极及绝缘体与处理室分隔且由室壁罩住的线室，其中处理室与设置在分散板与簇射板之间的第一气体扩散室连接，第一气体扩散室与设置在分散板与上部电极的电极面之间的第二气体扩散室连接，第二气体扩散室连接到上部电极内的第一气体管，上部电极内的第一气体管连接到第二气体管，第二气体管连接到处理用气体供应源，线室具有惰性气体导入口、共轴设置的上部电极及室壁，分散板与连接到上部电极的电极面的在上部电极内的第一气体管的气体导入口对置，并且，该分散板具有分散板中央部及分散板周边部，该分散板中央部未设置气体孔，该分散板周边部设置有多个气体孔。
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公开(公告)号：CN1956150A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610144562.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/336 , C23C16/24
Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。
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