公开(公告)号：CN101937932A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN101937932B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。