公开(公告)号：CN102345115A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN100531495C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510087905.8

申请日：2005-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  仓田求 ,  畑宏幸 ,  一条充弘 ,  大槻高志 ,  安西彩 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H04N5/655 ,  G06F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H04N5/642

Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的发光元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。

公开(公告)号：CN102345115B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN1728900A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087905.8

申请日：2005-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  仓田求 ,  畑宏幸 ,  一条充弘 ,  大槻高志 ,  安西彩 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H04N5/655 ,  G06F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H04N5/642

Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的光发射元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。