公开(公告)号：CN1855515A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077803.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H04N5/225 ,  G03B21/00

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55－70原子％、氮浓度设定为0.1－6原子％和氢浓度设定为0.1－3原子％。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350－500℃，较好在400－450℃之间，放电功率密度设定在0.1－1W/cm2。

公开(公告)号：CN100592523C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200610099729.4

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55-70原子%、氮浓度设定为0.1-6原子%和氢浓度设定为0.1-3原子%。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350-500℃，较好在400-450℃之间，放电功率密度设定在0.1-1W/cm2。

公开(公告)号：CN1956150A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610144562.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1599528A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410076968.9

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  村上雅一 ,  森谷幸司 ,  及川欣聪 ,  浅见勇臣 ,  大谷久

IPC: H05B33/20 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259

Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。

公开(公告)号：CN1389905A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121623.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78636 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN100485872C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610144562.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1293607C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02121623.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

Abstract: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3-1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3-1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1346152A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01124907.2

申请日：2001-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司 ,  浅见勇臣 ,  高野圭惠 ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区,所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得,锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素,其中:通过电子背反射衍射图样方法测定时,相对于半导体薄膜的表面,不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度,相对于半导体薄膜的表面,不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度,以及相对于半导体薄膜的表面,不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。

公开(公告)号：CN1276630A

公开(公告)日：2000-12-13

申请号：CN00121639.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 目的是提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法。提供一种利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件,及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气,通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55—70原子%、氮浓度设定为0.1—6原子%和氢浓度设定为0.1—3原子%。为了制造这种成分的膜,基片温度设定在350—500℃,较好在400—450℃之间,放电功率密度设定在0.1—1W/cm2。

公开(公告)号：CN100485943C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610077803.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H04N5/225 ,  G03B21/00

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55-70原子%、氮浓度设定为0.1-6原子%和氢浓度设定为0.1-3原子%。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350-500℃，较好在400-450℃之间，放电功率密度设定在0.1-1W/cm2。