公开(公告)号：CN111656531B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980010136.1

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  及川欣聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的导电体、与第二氧化物的顶面的一部分、第二氧化物的侧面的一部分及第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体、与第二绝缘体的顶面及第三氧化物的侧面的另一部分接触的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及与第三氧化物的顶面、第一绝缘体的顶面、导电体的顶面及第三绝缘体的顶面接触的第五绝缘体，第二氧化物具有第一区域、第二区域、第三区域、位于第一区域与第三区域之间的第四区域以及位于第二区域与第三区域之间的第五区域，导电体以与第三区域重叠的方式设置在第三区域的上方，第二绝缘体接触于第一区域及第二区域。

公开(公告)号：CN117356169A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037546.7

申请日：2022-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  冈崎健一 ,  及川欣聪 ,  高濑奈津子 ,  吉住健辅

IPC: H05B33/12

Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第一着色层及第二着色层。第一发光器件依次层叠有第一像素电极、第一EL层及公共电极，第二发光器件依次层叠有第二像素电极、第二EL层及公共电极，第一着色层与第一发光器件重叠，使与第一着色层不同颜色的光透过的第二着色层与第二发光器件重叠，第一EL层与第二EL层具有同一结构且彼此分离，第一EL层的端部位于第一像素电极上，第二EL层的端部位于第二像素电极上，第一绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一EL层及第二EL层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。

公开(公告)号：CN111656530A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010071.0

申请日：2019-01-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  及川欣聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的导电体、与第二氧化物的顶面的一部分、第二氧化物的侧面的一部分及第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及与第三氧化物的顶面、第一绝缘体的顶面、导电体的顶面及第三绝缘体的顶面接触的第四绝缘体，第二氧化物具有第一区域、第二区域以及位于第一区域与第二区域之间的第三区域，导电体以重叠于第三区域的方式设置在第三区域的上方，第三氧化物的一部分及第一绝缘体的一部分设置在导电体的侧面与第三绝缘体的侧面之间，第二绝缘体与第一区域及第二区域接触。

公开(公告)号：CN104538355B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510004825.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。

公开(公告)号：CN105449119B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201610008810.0

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN103500700B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310357304.9

申请日：2009-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  小路博信 ,  江口晋吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/60 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。

公开(公告)号：CN102005449B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010263823.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。

公开(公告)号：CN102160179B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980136494.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13

Abstract: 提供了减少了起因于静电放电的特性不良的半导体装置及其制造方法。该半导体装置至少具有如下三个结构中的一个：(1)在电路部的周围区域中，第一和第二绝缘膜彼此直接接触的结构；(2)第一和第二绝缘体彼此密接的结构；(3)在第一绝缘体和第二绝缘体的外表面上分别设置第一导电层及第二导电层，第一导电层和第二导电层之间的电导通在周围区域的侧面实现的结构。注意，通过将多个半导体装置分割成分离的半导体装置可以实现侧面的导通。

公开(公告)号：CN101174642B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710168213.5

申请日：2007-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  片山雅博 ,  及川欣聪 ,  广濑笃志 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1892 ,  H01M10/46 ,  H03F3/08 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。

公开(公告)号：CN102057488A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980120672.3

申请日：2009-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  小路博信 ,  江口晋吾

IPC: H01L29/786 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/822 ,  H01L25/00 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/60 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。