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公开(公告)号：CN105449119B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201610008810.0
申请日：2010-08-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323
摘要： 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。
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公开(公告)号：CN101047207A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710092189.1
申请日：2007-03-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78621
摘要： 本发明提供一种半导体器件，其包括半导体膜、栅极绝缘膜、栅电极、绝缘膜、以及源电极及漏电极。所述半导体膜至少具有沟道形成区域、区域、位于所述沟道形成区域和所述区域之间的源区及漏区、在所述区域上的第一硅化物区域、以及在所述源区及漏区的一部分上的第二硅化物区域。所述绝缘膜具有接触孔，以至少使所述第一硅化物区域露出。所述源电极及漏电极分别通过所述接触孔电连接到所述第一硅化物区域。所述区域以低于所述源区及漏区的浓度具有赋予一导电型的元素。
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公开(公告)号：CN101997003B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010246753.2
申请日：2010-08-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN102498570A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040387.3
申请日：2010-08-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323
摘要： 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。
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公开(公告)号：CN105810753A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610240258.8
申请日：2010-08-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103151387A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310060424.2
申请日：2010-08-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑（Sb）元素或磷（P）元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN102598283A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050485.5
申请日：2010-08-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101997003A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010246753.2
申请日：2010-08-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN101800250A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010116559.2
申请日：2010-01-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L27/12 , H01L21/34 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101047207B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710092189.1
申请日：2007-03-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78621
摘要： 本发明提供一种半导体器件，其包括半导体膜、栅极绝缘膜、栅电极、绝缘膜、以及源电极及漏电极。所述半导体膜至少具有沟道形成区域、区域、位于所述沟道形成区域和所述区域之间的源区及漏区、在所述区域上的第一硅化物区域、以及在所述源区及漏区的一部分上的第二硅化物区域。所述绝缘膜具有接触孔，以至少使所述第一硅化物区域露出。所述源电极及漏电极分别通过所述接触孔电连接到所述第一硅化物区域。所述区域以低于所述源区及漏区的浓度具有赋予一导电型的元素。
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