公开(公告)号：CN101404294B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810168087.8

申请日：2008-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN101098139B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200710129005.4

申请日：2007-06-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤正己 ,  河江大辅 ,  黑川义元 ,  池田隆之

IPC: H04L7/033 ,  H03L7/00 ,  H04L7/00 ,  G06K7/00

CPC classification number: H04L7/0331

Abstract: 本发明的目的是提供即使在多个电路之间使用不同的时钟的情况下也能够进行稳定的通信的时钟同步电路、以及具备该电路的半导体器件。在本发明中设置：检测接收的数据的变化点并输出复位信号的装置；产生时钟信号的基准时钟产生装置；以及对从所述基准时钟产生装置输出的所述时钟信号进行计数并且在输入所述复位信号的情况下，复位通过对所述时钟信号进行计数而获得的计数值的装置。

公开(公告)号：CN101404295B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810168953.3

申请日：2008-10-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的缓冲层；形成在缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为施主的杂质元素。

公开(公告)号：CN101216901B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200710300486.0

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  远藤正己 ,  傳保洋树 ,  河江大辅 ,  井上卓之 ,  上妻宗広

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0716 ,  G06K2017/0045

Abstract: 在具有由无线信号检测出物理位置的功能的半导体器件中，当采用从电池供给电源电压的有源型时，因为定期交换电池、电池的物理形状、质量的限制，而使半导体器件的物理形状、质量等被限制。在半导体器件中安装电源电路和A/D转换电路，该电源电路具有由无线信号生成电源电压的功能；该A/D转换电路具有通过对由无线信号生成的电压进行A/D转换来检测出无线信号的强度的功能。这样，可以提供不需要交换电池且物理形状及质量的限制少，并且具有检测出物理位置的功能的半导体器件。此外，通过使用形成在塑料衬底上的薄膜晶体管来形成半导体器件，可以以廉价提供在物理形状上具有灵活性并且具有检测出物理位置的功能的重量轻的半导体器件。

公开(公告)号：CN102422426A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020117.6

申请日：2010-04-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7869

Abstract: 在进行氧化物半导体层的构图同时形成设置在薄膜晶体管的氧化物半导体层上方的栅电极。

公开(公告)号：CN101521231A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910008341.2

申请日：2009-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  宫入秀和 ,  黑川义元 ,  山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  小林聪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层被设置为其至少一部分隔着栅极绝缘层重叠于栅电极，并且形成源区及漏区；一对导电层，该一对导电层被配置为其至少一部分在栅极绝缘层上重叠于栅电极及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，并且在沟道长度方向上相离；以及接触栅极绝缘层和一对导电层并且延伸在该一对导电层之间的非晶半导体层。

公开(公告)号：CN101404294A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810168087.8

申请日：2008-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  黑川义元 ,  神保安弘 ,  小林聪 ,  河江大辅

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种电特性优越的薄膜晶体管、以及包括该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。所述薄膜晶体管包括：形成在栅电极上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体膜；形成在微晶半导体膜上的一对缓冲层；形成在一对缓冲层上的添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜；形成在添加有赋予一种导电型的杂质元素的一对半导体膜上的布线，其中，在栅极绝缘膜的一部分或全部或者微晶半导体膜的一部分或全部包含成为供体的杂质元素。

公开(公告)号：CN101216901A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710300486.0

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  远藤正己 ,  傳保洋树 ,  河江大辅 ,  井上卓之 ,  上妻宗広

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0716 ,  G06K2017/0045

Abstract: 在具有由无线信号检测出物理位置的功能的半导体器件中，当采用从电池供给电源电压的有源型时，因为定期交换电池、电池的物理形状、质量的限制，而使半导体器件的物理形状、质量等被限制。在半导体器件中安装电源电路和A/D转换电路，该电源电路具有由无线信号生成电源电压的功能；该A/D转换电路具有通过对由无线信号生成的电压进行A/D转换来检测出无线信号的强度的功能。这样，可以提供不需要交换电池且物理形状及质量的限制少，并且具有检测出物理位置的功能的半导体器件。此外，通过使用形成在塑料衬底上的薄膜晶体管来形成半导体器件，可以以廉价提供在物理形状上具有灵活性并且具有检测出物理位置的功能的重量轻的半导体器件。

公开(公告)号：CN1797508A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510003472.3

申请日：2005-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河江大辅

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3258 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3244

Abstract: 提供了一种通过时间灰度级方法来表示灰度级的显示设备的驱动方法，其中一帧分割为多个子帧，从而在降低功耗的同时又保持较高的孔径比和占空比。对于具有多个象素行的每组中的子帧的次序设为不同，并且具有多个象素行的每组的数据写入周期小于对应最低有效位的子帧的数据保持周期。在扫描属于某一组的象素行时，属于其他组的象素行都处于数据保持周期。因此，数据线的驱动频率降低，功耗得到减少。

公开(公告)号：CN105870127A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610203389.9

申请日：2010-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鱼地秀贵 ,  河江大辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置。本发明的目的在于减少实际工作的不良影响且减少由于杂波所引起的不良影响。本发明包括：电极；电连接到所述电极的布线；在平面视上重叠于所述电极的氧化物半导体层；在截面视上设置在所述电极与所述氧化物半导体层之间的绝缘层；以及通过所述布线从所述电极输入信号且根据输入的所述信号被控制工作的驱动电路。使用氧化物半导体层、绝缘层及布线或电极形成电容元件。