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公开(公告)号：CN101216901B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200710300486.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K7/0008 , G06K19/0716 , G06K2017/0045
Abstract: 在具有由无线信号检测出物理位置的功能的半导体器件中，当采用从电池供给电源电压的有源型时，因为定期交换电池、电池的物理形状、质量的限制，而使半导体器件的物理形状、质量等被限制。在半导体器件中安装电源电路和A/D转换电路，该电源电路具有由无线信号生成电源电压的功能；该A/D转换电路具有通过对由无线信号生成的电压进行A/D转换来检测出无线信号的强度的功能。这样，可以提供不需要交换电池且物理形状及质量的限制少，并且具有检测出物理位置的功能的半导体器件。此外，通过使用形成在塑料衬底上的薄膜晶体管来形成半导体器件，可以以廉价提供在物理形状上具有灵活性并且具有检测出物理位置的功能的重量轻的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101216901A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710300486.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K7/0008 , G06K19/0716 , G06K2017/0045
Abstract: 在具有由无线信号检测出物理位置的功能的半导体器件中，当采用从电池供给电源电压的有源型时，因为定期交换电池、电池的物理形状、质量的限制，而使半导体器件的物理形状、质量等被限制。在半导体器件中安装电源电路和A/D转换电路，该电源电路具有由无线信号生成电源电压的功能；该A/D转换电路具有通过对由无线信号生成的电压进行A/D转换来检测出无线信号的强度的功能。这样，可以提供不需要交换电池且物理形状及质量的限制少，并且具有检测出物理位置的功能的半导体器件。此外，通过使用形成在塑料衬底上的薄膜晶体管来形成半导体器件，可以以廉价提供在物理形状上具有灵活性并且具有检测出物理位置的功能的重量轻的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102739236B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201210115117.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/20 , G11C16/06 , G11C11/4063
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。
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公开(公告)号：CN102822979B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180015537.X
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 远藤正己
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78642
Abstract: 一个目的在于提供具有良好性质的用于高功率应用的半导体器件。用于解决上述问题的手段是形成以下描述的晶体管。该晶体管包括源电极层；与源电极层接触的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的漏电极层；栅电极层，其部分与源电极层、漏电极层和氧化物半导体层重叠；以及与栅电极层的整个表面接触的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN1979620B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610164191.0
申请日：2006-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 远藤正己
CPC classification number: G09G3/3275 , G09G5/399 , G09G2360/18
Abstract: 显示装置的控制电路、显示装置及应用其的电子设备本发明的目标是通过有效地利用显示装置控制电路的存储器物理区域而实现显示装置的尺寸缩小及成本降低。该控制电路的视频数据存储部分的结构为，设有用于存储接收到的视频数据中的第n帧(n为自然数)的视频数据的视频数据存储部分、用于存储第(n+1)帧的视频数据的视频数据存储部分以及用于共享第n帧和第(n+1)帧的视频数据的视频数据存储部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101097613B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710127902.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式，则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此，有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下：半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外，发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
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公开(公告)号：CN100397458C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200380101811.0
申请日：2003-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3275 , G09G3/20 , G09G3/2022 , G09G2300/0842 , G09G2330/021 , G09G2360/18
Abstract: 关于作为数字灰度表示方法的时间灰度方法，本发明的目的是提供一种防止帧频率降低以及实现一种低功耗的SRAM的显示器件。借助于利用其状态在一定时刻被读出的读出和写入信号，来选择二个存储器中哪一个要被有效地写入，从而使写入和读出同步，本发明克服了常规技术的上述缺点。
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公开(公告)号：CN101097613A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710127902.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式，则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此，有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下：半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外，发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
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公开(公告)号：CN102822979A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015537.X
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 远藤正己
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78642
Abstract: 一个目的在于提供具有良好性质的用于高功率应用的半导体器件。用于解决上述问题的手段是形成以下描述的晶体管。该晶体管包括源电极层；与源电极层接触的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的漏电极层；栅电极层，其部分与源电极层、漏电极层和氧化物半导体层重叠；以及与栅电极层的整个表面接触的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN102789808A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210149184.9
申请日：2012-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 远藤正己
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C11/4085 , G11C8/12 , G11C29/12005 , G11C29/26 , G11C2029/1206
Abstract: 根据本发明的存储器装置能够利用单个电位来工作，据此能够免去电压变换器的使用，从而促成功耗的降低。此类操作能够利用连接到晶体管的栅极电容器的电容耦合进行数据写入来实现。即，通过将由延迟电路提供的信号输入到电容器来引起电容耦合，该延迟电路配置成将具有等于电源电位的写信号延迟。通过电容耦合增大栅极的电位使得晶体管能够与从电源施加到栅极的电源电位关联地被导通。经由晶体管将等于电源电位或接地电位的信号输入到结点来写入数据。
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