公开(公告)号：CN115443505A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029048.3

申请日：2021-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑丈也 ,  米田诚一 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种能够保持模拟数据的半导体装置，该半导体装置使用四个晶体管及两个电容器构成两个保持电路、两个自举电路以及一个源极跟随电路。两个保持电路分别设置有存储节点，一个存储节点被写入数据电位且另一个存储节点被写入参考电位。在读出数据时，一个自举电路中一个存储节点的电位被升压，另一个自举电路中另一个存储节点的电位被升压。使用源极跟随电路输出两个存储节点间的电位差。通过使用源极跟随电路，可以降低输出阻抗。

公开(公告)号：CN115336254A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024385.3

申请日：2021-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑丈也 ,  米田诚一 ,  井上广树 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: H04N5/369

Abstract: 提供一种具备图像处理功能的摄像装置。本发明的一个方式是一种具备图像处理等附加功能的摄像装置，该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据保持在像素中而取出该模拟数据乘任意权重系数而得的数据。在像素中可以取得相邻的受光器件间的差分数据，可以得到亮度梯度的信息。通过将该信息输入到神经网络等中，可以进行距离信息等的推导。另外，由于可以将庞大的图像数据以模拟数据的状态保持在像素中，所以可以高效地进行处理。

公开(公告)号：CN114207828A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056554.7

申请日：2020-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  根来雄介 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/33 ,  H04N5/347 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 提供一种具有图像处理功能，并能够进行高速工作的摄像装置。本发明是一种具有图像处理等附加功能的摄像装置，该摄像装置可以将在摄像工作中获取的模拟数据保持在像素中，而取出该模拟数据乘任意权重系数而得的数据。另外，在该摄像装置中，通过充电到布线的电荷的再次分配来生成用于像素中的运算的部分电位。因此，可以与将该电位从其他电路提供给像素的情况相比，可以以更高速、低功耗进行运算。

公开(公告)号：CN114175617A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054318.1

申请日：2020-07-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一 ,  乡户宏充 ,  根来雄介 ,  井上广树 ,  福留贵浩

IPC: H04N5/232

Abstract: 提供一种具有新颖结构的摄像装置。本发明是一种具有设置有多个像素的摄像区域的摄像装置。摄像区域所包括的多个像素包括第一像素及第二像素。摄像装置具有选择第一或第二区域的功能。第一区域包括与第二区域相同数量的像素，第一区域至少包括第一及第二像素，第二区域至少包括第二像素，第一区域或第二区域所包括的像素具有输出各自所取得的摄像信号的功能。摄像装置同时读出第一区域所包括的像素输出的摄像信号进行运算来生成第一图像数据。摄像装置通过同时读出第二区域所包括的像素输出的摄像信号进行运算来生成第二图像数据。第一成像图像可以使用第一图像数据及第二图像数据生成。

公开(公告)号：CN103548263A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023807.6

申请日：2012-05-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 米田诚一

IPC: H03K3/356 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H03K3/037

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/0963

Abstract: 一种半导体装置，其中输入端子与第一传输门的第一端子电连接；所述第一传输门的第二端子与第一反相器的第一端子和功能电路的第二端子电连接；所述第一反相器的第二端子和所述功能电路的第一端子与第二传输门的第一端子电连接；所述第二传输门的第二端子与第二反相器的第一端子和钟控反相器的第二端子电连接；所述第二反相器的第二端子和所述钟控反相器的第一端子与输出端子电连接；且所述功能电路包括在具有小关态电流的晶体管和电容器之间的数据保持部分。

公开(公告)号：CN102739236A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210115117.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  远藤正己 ,  盐野入丰 ,  傅保洋树 ,  西岛辰司 ,  大岛和晃 ,  米田诚一 ,  小山润

IPC: H03K19/20 ,  G11C16/06 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H03K19/17796 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1203

Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。

公开(公告)号：CN115443648A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029111.3

申请日：2021-04-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根来雄介 ,  米田诚一 ,  山崎舜平

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/347

Abstract: 提供一种具有图像处理功能的摄像装置。本发明的一个方式是一种包括多个像素的摄像装置。像素具有对在第n帧(n为2以上的整数)取得的图像数据加第一权重而生成第n帧的第一数据的功能。像素具有对在第n‑1帧取得的图像数据加第二权重而生成第n‑1帧的第一数据的功能。另外，像素具有将第n‑1帧的第一数据和第n帧的第一数据加在一起而生成第二数据的功能。

公开(公告)号：CN115053514A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013110.X

申请日：2021-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  米田诚一

IPC: H04N5/369 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

Abstract: 提供一种对负电压及/或正电压进行电平转换的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容器、输入端子及输出端子的半导体装置。第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子及所述输出端子电连接。另外，第二晶体管的第二端子与第三晶体管的第一端子电连接。另外，第四晶体管的第一端子与第二晶体管的栅极及第一电容器的第一端子电连接，第一电容器的第二端子与输入端子电连接。另外，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管各自为相同极性的晶体管。

公开(公告)号：CN112673575A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059003.3

申请日：2019-09-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  米田诚一 ,  宫口厚 ,  井上达则

IPC: H03M1/12 ,  H03K17/00 ,  H03K17/693

Abstract: 提供一种能够实现低功耗化的具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括传感器、被输入传感器的传感器信号的采样保持电路、被输入采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路、控制电路、电池及天线。采样保持电路包括第一选择电路、多个信号保持电路以及第二选择电路。控制电路在从电池被供应电力的第一期间进行控制以由第一选择电路将对应于传感器信号的电位依次保持在多个信号保持电路中且在通过天线从外部被供应电力的第二期间进行控制以由第二选择电路输出对应于保持在多个信号保持电路中的电位的输出信号。

公开(公告)号：CN111989865A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201980026896.1

申请日：2019-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石津贵彦 ,  米田诚一

IPC: H03K19/094 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种低功耗且能够稳定工作的半导体装置。包括具有沟道形成区中含有氧化物半导体的晶体管的电路结构的逻辑电路。逻辑电路是2输入2输出的二线式逻辑电路。构成逻辑电路的晶体管分别具有栅极及背栅极。输入端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的一方电连接。输出端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的另一方电连接。输出端子与电连接到提供低电源电位的布线的晶体管的源极和漏极中的一方电连接。电连接到提供低电源电位的布线电连接的晶体管的栅极或背栅极与输入端子电连接。