公开(公告)号：CN109687863A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811624935.1

申请日：2018-12-28

Applicant: 上海贝岭股份有限公司

Inventor： 赵海亮 ,  阮颐 ,  常祥岭 ,  刘燕涛

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003 ,  H03K19/00

CPC classification number: H03K19/018507 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/00315

Abstract: 本发明公开了一种RS485芯片的驱动电路。所述驱动电路包括：接口端、PMOS管通路和NMOS管通路；所述PMOS管通路的一端与电源连接，所述PMOS管通路的另一端与所述接口端和所述NMOS管通路的一端连接，所述NMOS管通路的另一端接地；所述接口端用于连接RS485芯片的A引脚或B引脚连接。本发明通过PMOS管通路和NMOS管通路实现RS485芯片的驱动电路，能降低EMI(电磁干扰)和不合适的电缆端接所引起的反射，提高数据传输的可靠性，实现速率高速的无误码数据传输。且能够满足国网标准的RS485远程数据传输应用标准。

公开(公告)号：CN109039325A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710439677.9

申请日：2017-06-12

Applicant: 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 黄婷婷 ,  朱清 ,  孙君 ,  王太诚

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

CPC classification number: H03K19/018507 ,  H03K19/00315

Abstract: 一种信号转换电路，电连接于第一芯片与第二芯片之间。信号转换电路包括开关模块及保护模块。开关模块包括开关管，所述开关管包括控制端、第一端及第二端，所述控制端电连接于第二电源，所述第一端电连接于第一芯片与第一电源的公共端，所述第二端电连接于第二芯片与第二电源的公共端。保护模块电连接于所述开关管的第一端与第二端之间，用于防止第二芯片的电压回流至第一芯片。上述信号转换电路，利用简单的电子元件即可替代原有的转换IC，使得两个具有不同信号电压的通信芯片可以正常通信，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN105024686B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510296482.4

申请日：2015-04-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·屈内蒙德

IPC: H03K19/094

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/215 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体芯片。根据一个实施例，芯片具有电路，该电路具有至少一个p沟道场效应晶体管(FET)；至少一个n沟道FET；第一和第二电源端子；其中如果n沟道FET在其栅极处被提供有较高电源电势，则其将较低电源电势提供至p沟道FET的栅极；并且如果p沟道FET在其栅极处被提供有较低电源电势，则其将较高电源电势提供至n沟道FET的栅极；其中，可仅通过至电路的第一和第二电源电压中的至少一个来改变p沟道FET和n沟道FET的栅极的逻辑状态；以及耦合至p沟道FET或者n沟道FET的栅极和半导体芯片的另外的部件的连接。

公开(公告)号：CN108075754A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710337951.1

申请日：2017-05-15

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： F·卡绍 ,  V·于阿尔

IPC: H03K17/284 ,  H03K17/693

CPC classification number: H01L27/0928 ,  G01R31/31725 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/1083 ,  H03K3/037 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/094 ,  H03K19/21

Abstract: 本发明涉及用于集成电路本体偏置的方法和电路，例如，一种集成电路，包括：多个电路域(102，104，106，108)，每个电路域包括：多个晶体管器件，这些晶体管器件定位在p型阱和n型阱(P，N)之上，这些晶体管器件限定该电路域的一个或多个数据路径；监测电路(116)，该监测电路被适配成用于检测该电路域的这些数据路径中的至少一个数据路径的松弛时间何时降至阈值水平以下并且用于基于该检测在输出线上生成输出信号；以及偏置电路(110)，该偏置电路被适配成用于修改该电路域的该n型和/或p型阱的偏置电压。

公开(公告)号：CN107959496A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710951703.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 松原淳一

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/0813 ,  H03K3/02337 ,  H03K5/082 ,  H03K19/00307 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/017518 ,  H03K19/01831 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明提供一种能够提高噪声耐力而防止误动作的电平转换器。电平转换器(1)包含电平转换器部(2)以及阈值电压变动电路(24)而构成。电平转换器部(2)被第1电源电压(VBB)驱动，根据比第1电源电压(VBB)低的电压的输入信号(SIN)的切换，切换从第1电源电压(VBB)被电平转换为比第1电源电压(VBB)低的电压的输出信号(SOUTM)。阈值电压变动电路(24)根据输入信号(SIN)的切换方向，使输出信号(SOUTM)相对于输入信号(SIN)切换的阈值电压变动。

公开(公告)号：CN107786195A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201711249090.8

申请日：2017-12-01

Applicant: 珠海亿智电子科技有限公司

Inventor： 严智

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明公开了一种利用1.8V耐压CMOS器件实现的耐5V高速IO电路，包括：耐压保护单元U1、ESD保护管M1与M2、ESD保护电阻R1与R2。所述IO电路在正常工作时，电路输入输出信号摆幅可以达到3.3V。该IO电路在PAD短接到5V的情况下，耐压保护单元能够保护M1与M2不会产生耐压问题，同时不会将电流引入到3.3V电源上，避免将3.3V电源拉高。IO电路的电容非常小，以保证该电路在GHz的频率上仍能保持正常工作。IO电路依然保持传统IO电路的ESD泄放路径，与传统的IO电路相比，本发明的电路利用1.8V耐压器件并能工作在3.3V电源电压下，具有一般IO所不具有的大摆幅、高速、耐高压性能，而且能够在28nm等缺乏3.3V耐压器件的先进工艺制程下实现，具有灵活广泛的应用。

公开(公告)号：CN105659499B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201480056988.1

申请日：2014-10-14

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： M·J·布鲁诺利 ,  M·维兰

IPC: H03K19/00 ,  G11C7/10 ,  H03K19/003 ,  H04L25/02

CPC classification number: H03K3/01 ,  G11C7/1057 ,  H03K19/0005 ,  H03K19/00315 ,  H04L25/0278

Abstract: 配置成驱动输出节点的输出驱动器包括具有多条支路的下拉区段以及具有多条上拉支路的上拉区段。每条支路和上拉支路包括数据路径和校准路径。下拉区段中的数据路径被配置成响应于互补数据输出信号的断言而导电至接地，而上拉区段中的数据路径被配置成响应于该互补数据输出信号的解除断言而导电至电源节点。

公开(公告)号：CN107248861A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710418875.7

申请日：2017-06-06

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 刘雯 ,  胡晓明 ,  浦珺慧

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003

CPC classification number: H03K19/017509 ,  H03K19/00315

Abstract: 本发明公开了一种具有低通滤波功能的输入输出电路，包括:输出模块，连接于芯片内核的输出与PAD之间，用于输出毫安级别的驱动电流；ESD保护模块，连接在PAD与低通滤波模块之之间，用于为PAD提供静电保护；低通滤波模块，连接在该ESD保护模块与输入模块之间，用于滤除高频噪声，通过低频信号；输入模块，一端连接该低通滤波模块，另一端与芯片内核的输入相连，用于将输入信号变换为适合后续电路要求的模拟或数字信号，通过本发明，可实现一种具有低通滤波功能的输入输出电路，有效隔离信号工作频率以上的高频干扰，提高信号传输的成功率，同时保证芯片的电磁兼容能力。

公开(公告)号：CN106788386A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611077581.4

申请日：2016-11-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 胡晓明

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003

CPC classification number: H03K19/017509 ,  H03K19/00315

Abstract: 一种降低热载流子劣化的电平转换电路，其包括第一和第二PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管、反向器和热载流子抑制子电路；其中，第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的节点构成电平转换电路的输出，并与第一PMOS晶体管的栅极相连；第二PMOS晶体管源端和外部高电压电源连接，第二NMOS晶体管的源端连接地电平；第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的节点与第二PMOS晶体管栅极相连，第一PMOS晶体管源端和外部高电压电源连接，第一NMOS晶体管的源端连接地电平；第一反向器输入构成电平转换电路的输入，其输出与第一NMOS晶体管栅极和热载流子抑制子电路的输入相连，热载流子抑制子电路的输出与第二NMOS晶体管的栅极相连，以降低实际到达第二NMOS晶体管的电压。

公开(公告)号：CN103297027B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310063268.5

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社巨晶片

Inventor： 山口正人

IPC: H03K19/003

CPC classification number: H03M1/747 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G5/393 ,  G09G2330/021 ,  H03K3/00 ,  H03K19/00315 ,  H03K19/00361 ,  H03K19/018521 ,  H03M1/0614 ,  H03M1/66

Abstract: 本发明公开了一种输出装置。该输出装置接收数据信号，与时钟信号同步地输出与数据信号对应的输出信号，并且包括驱动单元，该驱动单元被配置为驱动输出输出信号的输出缓冲器。该驱动单元包括使用同一电源运行的信号切换单元以及第一和第二驱动电路。该信号切换单元根据数据信号的电平将时钟信号输入到第一和第二驱动电路中的一个，并且，第一和第二驱动电路中的一个向输出缓冲器输出驱动信号，其电平根据时钟信号的电平的改变而变化。