公开(公告)号：CN113302778A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202080009103.8

申请日：2020-01-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  石津贵彦 ,  高桥圭 ,  池田隆之

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/44 ,  H01M10/48 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H02J7/02 ,  H02J7/10 ,  G01R31/36

Abstract: 提供一种新颖结构的电池控制电路、新颖结构的电池保护电路以及包括该电池电路的蓄电装置。本发明提供一种半导体装置，在分别对应于一个二次电池的n组的单元平衡电路中，包括晶体管、比较电路、电容器，在n组的单元平衡电路的每一个中，电连接晶体管的源极和漏极中的一个与比较电路的反相输入端子及电容器的一个电极，对电容器的另一个电极供应接地电位，晶体管成为开启状态，对电容器的一个电极供应第一电位，晶体管成为关闭状态，电连接电容器的另一个电极与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极，对电容器的一个电极供应第一电位与对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的负极的电位之和，以控制对应于单元平衡电路的每一个的二次电池的充电。

公开(公告)号：CN111937074B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201980023236.8

申请日：2019-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  石津贵彦 ,  大贯达也

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4074 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种数据的保持时间长且可靠性高的存储装置。存储装置包括驱动器电路及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。晶体管包括第一栅极及第二栅极，在存储单元保持数据的期间，对晶体管的第一栅极及第二栅极施加负电位。

公开(公告)号：CN113169382B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201980077100.5

申请日：2019-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高橋圭 ,  冈本佑树 ,  伊藤港 ,  石津贵彦 ,  井上广树 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/42 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H02J7/00

Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。

公开(公告)号：CN114175619A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080053606.5

申请日：2020-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  米田诚一 ,  根来雄介 ,  石津贵彦 ,  小林英智

IPC: H04N5/347 ,  H04N5/3745 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有动作检测功能及图像处理功能的摄像装置。摄像装置可以检测出用作参考的帧图像与比较对象的帧图像之间的差分并可以在检测出明显差分时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。动作检测模式以低帧率进行工作而可以抑制功耗。另外，摄像装置具有图像识别功能通过与动作检测功能组合可以在识别到特定图像时从动作检测模式切换到普通拍摄模式。

公开(公告)号：CN105703760A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510941255.2

申请日：2015-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上広树 ,  松嵜隆德 ,  长塚修平 ,  石津贵彦 ,  大贯达也

IPC: H03K19/003

CPC classification number: H03K19/018521 ,  H03K3/356104 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明提供能够抑制电源电压上升之后高电平信号非意图地输出的半导体装置及电子设备。半导体装置包括：第一缓冲电路、电平转移电路及第二缓冲电路。通过对第一缓冲电路供给第一电位，并对电平转移电路及第二缓冲电路供给第二电位，来恢复到原来的状态。在供给第二电位之前供给第一电位。通过先对第一缓冲电路供给第一电位，来成为能控制电平转移电路及第二缓冲电路的工作的状态，由此抑制高电平信号非意图地输出到连接到第二缓冲电路的布线。

公开(公告)号：CN117519454A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311475196.5

申请日：2018-08-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石津贵彦 ,  池田隆之 ,  矶部敦生 ,  宫口厚 ,  山崎舜平

IPC: G06F1/3293 ,  G06G7/60 ,  H10B10/00 ,  H10B12/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种功耗小的运算装置及电子设备。提供一种能够进行高速工作的运算装置及电子设备。提供一种能够抑制发热的运算装置及电子设备。上述运算装置包括第一运算部及第二运算部。第一运算部包括第一CPU核心及第二CPU核心。第二运算部包括第一GPU核心及第二GPU核心。CPU核心具有进行电源门控的功能且包括连接于触发器的第一数据保持电路。第一GPU核心保持模拟值且包括能够作为2位以上的数字数据读出的第二数据保持电路。第二GPU核心保持数字值且包括能够作为1位数字数据读出的第三数据保持电路。第一至第三数据保持电路分别具有包括氧化物半导体的晶体管及电容器。

公开(公告)号：CN113196606A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082076.4

申请日：2019-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  池田隆之 ,  上妻宗広 ,  松嵜隆德 ,  石津贵彦 ,  青木健

IPC: H02H7/18 ,  H01M10/42 ,  H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  H02J7/10

Abstract: 二次电池随着反复充放电而发生劣化，这导致电池电压及电池容量的下降。防止二次电池由于劣化而以过度充电电流值被充电，并使二次电池长寿命化。通过考虑二次电池的劣化度控制充电来使二次电池长寿命化。在对二次电池进行充电时，由充电控制电路控制预定电流值，并且保护电路所包括的充电电流控制电路(具体而言，包括误差放大器的电路)决定流过二次电池的电流值。就是说，流过二次电池的电流值由充电控制电路和保护电路的一部分的充电电流控制电路的双方控制。

公开(公告)号：CN113169382A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077100.5

申请日：2019-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高橋圭 ,  冈本佑树 ,  伊藤港 ,  石津贵彦 ,  井上广树 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/42 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H02J7/00

Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。该半导体装置包括节点ND1、节点ND2、电阻器、电容器及比较电路，电阻器在二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间以串联连接的方式电连接。电阻器具有将流过二次电池的正极及负极中的一个与第一端子之间的电流转换为第一电压的功能。第一电压通过电容器加入节点ND2的电压。比较电路具有比较节点ND1的电压与节点ND2的电压的功能。当节点ND2的电压大于节点ND1的电压时，比较电路输出通知检测出过电流的信号。

公开(公告)号：CN112889138A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980068258.6

申请日：2019-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  冈本佑树 ,  石津贵彦 ,  伊藤港

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/0944

Abstract: 提供一种能够使用n沟道型晶体管向负电位方向进行电平转换的半导体装置。半导体装置包括第一源极跟随器、第二源极跟随器及比较器。第一源极跟随器被供应第二高电源电位及低电源电位，第二源极跟随器被供应第一高电源电位及低电源电位，第一源极跟随器被输入使用第二高电源电位及第一高电源电位表示高电平或低电平的数字信号。在此，第二高电源电位比第一高电源电位高，第一高电源电位比低电源电位高。比较器对第一源极跟随器与第二源极跟随器的输出电位进行比较并输出使用第一高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平的数字信号。

公开(公告)号：CN111989865A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201980026896.1

申请日：2019-04-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石津贵彦 ,  米田诚一

IPC: H03K19/094 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种低功耗且能够稳定工作的半导体装置。包括具有沟道形成区中含有氧化物半导体的晶体管的电路结构的逻辑电路。逻辑电路是2输入2输出的二线式逻辑电路。构成逻辑电路的晶体管分别具有栅极及背栅极。输入端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的一方电连接。输出端子与电连接到提供高电源电位的布线的晶体管的栅极和背栅极中的另一方电连接。输出端子与电连接到提供低电源电位的布线的晶体管的源极和漏极中的一方电连接。电连接到提供低电源电位的布线电连接的晶体管的栅极或背栅极与输入端子电连接。