公开(公告)号：CN101393919B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810149495.9

申请日：2008-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  矶部敦生 ,  乡户宏充 ,  冈崎丰

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。

公开(公告)号：CN101110437B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710142234.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN101217150B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710154325.5

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1518077B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200410007410.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  森若智昭

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: B23K26/0661 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738

Abstract: 在一种激光辐照系统中，由于高速移动笨重的扫描工作台，因此导致振动。当振动传送到装配有形成光束斑点和系统的光学系统的振动绝缘体时，在基板上形成的激光辐照轨迹就会沿振动的反射波动，该轨迹就不再是线性。本发明的一个目的是抑制因这种振动造成的辐照轨迹的波动。在作为要被辐照表面的半导体膜123之上提供光屏蔽膜122。当提供光屏蔽膜122时，就会显著地遮蔽具有低能量密度的一部分入射光束121。如上所述，提供光屏蔽膜122就能够增大半导体膜中的晶粒尺寸，而不用形成类似于用准分子激光器进行激光晶化的情况下形成的晶体的状态。为了使衍射影响最小，优选光屏蔽膜122尽可能薄。

公开(公告)号：CN1870233B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610088637.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  村上智史 ,  高野圭惠 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上方形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上方形成半导体薄膜，使用高频波在大于等于1×1011cm-3并小于等于1×1013cm-3的电子密度和大于等于0.5eV并小于等于1.5eV的电子温度的条件下通过对半导体薄膜实施等离子体处理来氧化或氮化半导体薄膜，形成第二绝缘膜以覆盖半导体薄膜；在第二绝缘膜上方形成栅电极；形成第三绝缘膜以覆盖栅电极；以及在第三绝缘膜上方形成导电薄膜。

公开(公告)号：CN100446181C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN100409409C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1921143A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121615.5

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN1540716A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410044699.8

申请日：2000-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柴田宽 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。

公开(公告)号：CN1518077A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410007410.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  森若智昭

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/16

CPC classification number: B23K26/0661 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738

Abstract: 在一种激光辐照系统中，由于高速移动笨重的扫描工作台，因此导致振动。当振动传送到装配有形成光束斑点和系统的光学系统的振动绝缘体时，在基板上形成的激光辐照轨迹就会沿振动的反射波动，该轨迹就不再是线性。本发明的一个目的是抑制因这种振动造成的辐照轨迹的波动。在作为要被辐照表面的半导体膜123之上提供光屏蔽膜122。当提供光屏蔽膜122时，就会显著地遮蔽具有低能量密度的一部分入射光束121。如上所述，提供光屏蔽膜122就能够增大半导体膜中的晶粒尺寸，而不用形成类似于用准分子激光器进行激光晶化的情况下形成的晶体的状态。为了使衍射影响最小，优选光屏蔽膜122尽可能薄。