公开(公告)号：CN102194892B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110080569.X

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN1921143B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200610121615.5

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN1921143A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121615.5

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN100499035C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410085220.5

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤友彦 ,  物江滋春 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明的目的是提供一种高成品率地制作可靠性高的半导体器件的制作方法。在本发明中，对构成半导体器件的至少2层或更多层的层间绝缘膜执行蚀刻而选择性地清除该层间绝缘膜，在形成开口部分时，执行两个阶段的蚀刻。在执行该两个阶段的蚀刻时，至少给使用的第一气体(第一蚀刻用气体)和第二气体(第二蚀刻用气体)中的一方掺杂惰性气体。

公开(公告)号：CN102194892A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110080569.X

申请日：2006-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  斋藤恵子 ,  佐藤友彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

公开(公告)号：CN1604288A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410085220.5

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤友彦 ,  物江滋春 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明的目的是提供一种高成品率地制作可靠性高的半导体器件的制作方法。在本发明中，对构成半导体器件的至少2层或更多层的层间绝缘膜执行蚀刻而选择性地清除该层间绝缘膜，在形成开口部分时，执行两个阶段的蚀刻。在执行该两个阶段的蚀刻时，至少给使用的第一气体(第一蚀刻用气体)和第二气体(第二蚀刻用气体)中的一方掺杂惰性气体。