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公开(公告)号：CN1877269B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610084883.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。
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公开(公告)号：CN101615619A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910141718.1
申请日：2005-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/13 , H01Q23/00 , H01Q1/38 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q23/00
Abstract: 一种半导体器件，例如本发明的ID芯片，包括使用半导体元件的集成电路，和与集成电路相连的天线，其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起，因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意，本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。
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公开(公告)号：CN100511712C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510054713.7
申请日：2005-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L27/1296
Abstract: 本发明提供了一种半导体元件，即使其衬底受热收缩影响极大，例如其衬底为大尺寸衬底，该元件的工作也不受影响。此外，本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外，即使出现轻微的掩模版偏移时，半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些，形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域，该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外，形成对应于各个栅电极的源区和漏区，使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外，电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。
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公开(公告)号：CN101299412A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810109622.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。
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公开(公告)号：CN101110437A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710142234.X
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100342551C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03102284.7
申请日：2003-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。
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公开(公告)号：CN1930678A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007958.2
申请日：2005-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/786 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01Q1/38 , H01Q7/00
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07749 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q23/00
Abstract: 一种半导体器件，例如本发明的ID芯片，包括使用半导体元件的集成电路，和与集成电路相连的天线，其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起，因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意，本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。
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公开(公告)号：CN1866548A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082461.3
申请日：2006-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/08 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1055 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1263153C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN01110971.8
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性的半导体显示器件。一种半导体显示器件包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；与半导体膜接触的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触的第一栅电极；与第一栅电极接触的第二栅电极；其中第二栅电极端部具有锥形截面，其中半导体膜包括：沟道形成区，与沟道形成区接触的轻掺杂漏区，与轻掺杂漏区接触的源区和漏区，其中沿沟道纵向的第一栅电极的第一宽度宽于沿沟道纵向的第二栅电极的第二宽度，其中轻掺杂漏区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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公开(公告)号：CN1645611A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510007875.5
申请日：2001-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/00 , H01L29/786 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。
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