公开(公告)号：CN101479747B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200780023459.1

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  D21H21/48 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN101471351A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189707.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及其制造方法。在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。

公开(公告)号：CN101432869A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015076.X

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  青木智幸

IPC: H01L23/12 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 为了将包括集成电路的半导体器件连接至以天线为代表的外电路，设计待形成在半导体器件上的接触电极的形状，使得外电路与接触电极不易产生不良连接并且提供具有高度可靠性的接触电极。接触电极利用具有切角或楔形形状的橡皮辊通过丝网印刷方法形成。接触电极具有外围部分和中间部分。外围部分具有膜厚从中间部分朝向端部减小的渐窄部分，而中间部分具有延续渐窄部分的突出部分。

公开(公告)号：CN1866548A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082461.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 菅原裕辅 ,  西和夫 ,  荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L31/08 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN102280414A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110199758.9

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  青木智幸

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法。为了将包括集成电路的半导体器件连接至以天线为代表的外电路，设计待形成在半导体器件上的接触电极的形状，使得外电路与接触电极不易产生不良连接并且提供具有高度可靠性的接触电极。接触电极利用具有切角或楔形形状的橡皮辊通过丝网印刷方法形成。接触电极具有外围部分和中间部分。外围部分具有膜厚从中间部分朝向端部减小的渐窄部分，而中间部分具有延续渐窄部分的突出部分。

公开(公告)号：CN1976011B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200610163787.9

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层；将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离；将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分，并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多；以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。

公开(公告)号：CN100585867C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510108891.3

申请日：2005-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  丸山纯矢 ,  山田大干 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  安达广树 ,  菅原裕辅

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。

公开(公告)号：CN101471349A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189727.3

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外，本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下：使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件，然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底，在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层，然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。

公开(公告)号：CN101233394A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN1881569A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106032.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  道前芳隆 ,  杉山荣二 ,  高桥秀和

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种薄膜电路部分的结构和制造薄膜电路部分的方法，通过该方法可以在薄膜电路下方容易地形成用于连接外部部分的电极。形成一种叠置体，该叠置体包括第一绝缘膜、形成于第一绝缘膜一个表面上方的薄膜电路、形成于薄膜电路上方的第二绝缘膜、形成于第二绝缘膜上方的电极和形成于电极上方的树脂膜。邻接叠置体第一绝缘膜的另一表面形成导电膜以与电极重叠。用激光照射导电膜。