公开(公告)号：CN1841789B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610073777.6

申请日：2006-03-30

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  越前谷刚 ,  藤冈裕一 ,  高桥沙希 ,  西和夫

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。

公开(公告)号：CN1832207B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610009063.9

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/04 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/1133 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。

公开(公告)号：CN100585867C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200510108891.3

申请日：2005-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  丸山纯矢 ,  山田大干 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  安达广树 ,  菅原裕辅

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。

公开(公告)号：CN101233394A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN100386013C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510063741.5

申请日：2005-03-24

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  二宫英昭 ,  岛村淳一 ,  西和夫

IPC: H05K13/00 ,  C09J9/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/67132 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0058 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/5193 ,  Y10T29/53174

Abstract: 本发明提供有助于改善电子元件性能的基体保持方法。使用其在180℃×10分钟的检查条件下进行气相色谱质谱分析时检测的气体的总量在以正十四烷换算时为100.5μg/g以下的、具备适当的气体释放特性的粘接带(20)，将塑料薄膜(1)保持在保持框(10)上。将由保持框(10)保持的塑料薄膜(1)投入电子元件(例如太阳能电池)的制造工序，即使在该制造工序中对塑料薄膜(1)实施伴随发热的处理(例如等离子体CVD等的成膜处理)，也能抑制因受热而从粘接带(20)释放的不需要气体的释放量，因此不易发生因该不需要的气体而恶化电子元件性能的情况。

公开(公告)号：CN1735968A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108533.1

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1446 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

公开(公告)号：CN1612351A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。

公开(公告)号：CN102522462A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210008282.0

申请日：2006-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  青木智幸 ,  伊佐敏行 ,  藤井严

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: G04C10/02 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法，目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

公开(公告)号：CN1866548B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200610082461.3

申请日：2006-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 菅原裕辅 ,  西和夫 ,  荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L31/08 ,  H01L27/144 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02325

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN101034723B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710086231.9

申请日：2007-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅

IPC: H01L31/101 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明的提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。