公开(公告)号：CN1612351A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。

公开(公告)号：CN100477240C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。