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公开(公告)号：CN101630639B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910161174.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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公开(公告)号：CN102208419A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110081650.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L21/77 , G02F1/167
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1362 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , Y02P80/30
Abstract: 半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法。本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。
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公开(公告)号：CN100573833C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580009603.7
申请日：2005-03-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2224/16 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01037 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过使用微滴排放方法以自对准的方式制造薄膜晶体管的方法，其不必考虑微滴排放装置的排放位置精度。根据本发明，可以采用有机树脂膜或类似物，并通过内腐蚀、曝光、显影等处理成为预定的形状。通过利用具有预定形状的有机树脂膜作为掩模，可以刻蚀掉含有一种导电类型杂质的半导体层。通过利用具有预定形状的有机树脂膜，可以对区域进行不同的润湿。
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公开(公告)号：CN1828932A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006916.3
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
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公开(公告)号：CN101038857B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN200710085416.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F1/133711 , G02F1/133734 , G02F1/133784 , G02F1/13394 , G02F1/167 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L27/3272 , H01L29/78603 , H01L29/78633 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/1896 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101677111A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910205017.X
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L27/04 , H01L21/77 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
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公开(公告)号：CN100477240C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410083451.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。
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公开(公告)号：CN1815699A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129683.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L23/5227 , H01L24/11 , H01L27/0629 , H01L27/1266 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L28/10 , H01L29/78621 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2924/00014 , H01L2924/07811 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。
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公开(公告)号：CN1815686A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510129682.7
申请日：2005-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/1292 , H01L27/14621
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法，通过简化了的工艺，能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术，此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域)，故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此，能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。
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公开(公告)号：CN1797757A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510128721.1
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置或显示装置，它们可通过改善材料的使用效率并简化制造过程加以制造，以及这些装置的制造技术。此外，本发明的另一目的在于提供一种以期望形状和良好的附着力形成构成半导体装置或显示装置的配线图案等的技术。通过在它们之间形成包含至少一个孔的导电缓冲层来增加第一和第二导电层之间的附着力。通过用借助烘培固化的颗粒形状的导电材料装填包含至少一个孔的缓冲层的孔形成第二导电层。孔中被固化的导电层起到类似于楔子的作用，且第二导电层以良好的附着力和稳定性形成于第一导电层上。
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