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公开(公告)号：CN101345197B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810133345.9
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触孔的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触孔的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触孔。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号：CN100416764C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510006162.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H05B33/10 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触孔的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触孔的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触孔。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号：CN101345197A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810133345.9
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号：CN1674227A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510054107.5
申请日：2005-03-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 城口裕子
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , B41J2/01 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1292 , G03F7/0007 , G03F7/0046 , G03F7/0755 , G03F7/105 , G03F7/165 , G03F7/26
Abstract: 本发明的目的是提供显示设备，其中材料可用性得到增强和它能够通过简化该制造工艺来制造，和它的制造技术。本发明还有一个目的是提供一种技术，其中构成这些显示设备的布线或类似物的图案能够以优选的可控制性形成为具有所需的形状。根据本发明的形成图案的方法包括以下步骤：形成包括吸光材料的第一区域；通过用具有被该吸光材料吸收的波长的激光选择性地辐射该物质改性该基片的表面来形成第二区域；和通过将包括图案形成材料的化合物排放到第二区域上来形成图案。
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公开(公告)号：CN1661775A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004768.7
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630639B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910161174.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02B5/201 , G03F7/0007 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3281 , H01L27/3295 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。
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公开(公告)号：CN100593244C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200580008835.0
申请日：2005-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L29/78678 , G03F7/70791 , H01L21/76838 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78666 , H01L29/78669 , H01L29/78675
Abstract: 根据本发明的一种形成图案的方法包括步骤：在具有透光性质的衬底上形成掩模；在衬底和掩模上形成具有包含光吸收材料的物质的第一区域；通过使用具有可由光吸收材料吸收的波长、通过衬底的光照射该物质以修改物质表面的一部分而形成第二区域；以及通过将包含图案形成材料的化合物排放到第二区域来形成图案。
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公开(公告)号：CN1700417A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510069742.0
申请日：2005-03-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G02F1/136 , G09F9/30 , H04N5/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5281
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造具有能够降低成本和提高产量并具有微结构的半导体元件的半导体器件的方法，进而，提供制造液晶电视和EL电视的方法。根据本发明的一个特征，制造半导体器件的方法包括如下步骤：在衬底上方形成光吸收层，通过使用溶液在光吸收层上方形成第一区域，通过用激光照射光吸收层来产生热量，以及通过用热量加热第一区域形成第一膜图案。
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公开(公告)号：CN1649096A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006162.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H05B33/10 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在通过制造半导体器件的常规步骤形成接触孔时，要求在基片几乎整个表面上形成一层光致抗蚀剂，而使之涂在除待形成接触空穴的区域以外的薄膜上，从而使处理能力急剧下降。按照本发明形成接触空穴的方法及制造半导体器件、EL显示器及液晶显示器的方法，是在半导体层、导电层或绝缘层上选择性地形成一层岛形有机薄膜，并沿该岛形有机薄膜形成一层绝缘膜以形成接触空穴。因此，不需要利用光致抗蚀剂的常规构成图案，可以达到高处理能力及低成本。
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公开(公告)号：CN1700417B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200510069742.0
申请日：2005-03-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5281
Abstract: 半导体器件及其制造方法、液晶电视、和EL电视本发明的目的是提供一种制造具有能够降低成本和提高产量并具有微结构的半导体元件的半导体器件的方法，进而，提供制造液晶电视和EL电视的方法。根据本发明的一个特征，制造半导体器件的方法包括如下步骤：在衬底上方形成光吸收层，通过使用溶液在光吸收层上方形成第一区域，通过用激光照射光吸收层来产生热量，以及通过用热量加热第一区域形成第一膜图案。
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