公开(公告)号：CN102738180B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201210245865.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04M1/02

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN102496346B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110375144.1

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN1842745B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200480024785.0

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  福地邦彦 ,  藤并严 ,  村中孝司 ,  中村理

IPC: G03F7/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。

公开(公告)号：CN101442106B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200810185275.1

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F2001/13685 ,  G03F1/82 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及了半导体装置及其制造方法、液晶电视和EL电视。公开了一种半导体装置的制造方法，其通过少量工艺和通过具有高可用性材料的手段，以具有高清晰度和具有高阶梯覆盖特性的栅绝缘来实现。根据本发明，半导体装置的制造方法包括如下步骤：在基板之上形成至少两个第一导电层；形成第一绝缘层以填充第一导电层的间隙；在第一绝缘层和第一导电层之上形成半导体区；在半导体区之上形成第二绝缘层；和在半导体区之上形成第二导电层，该第二绝缘层插入在该半导体区和该第二导电层之间。

公开(公告)号：CN102569342A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110373008.9

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN101369401B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN1815686B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510129682.7

申请日：2005-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  前川慎志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14621

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法，通过简化了的工艺，能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术，此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域)，故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此，能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。

公开(公告)号：CN1879055B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480033485.9

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  桑原秀明 ,  守屋芳隆

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在液晶显示器件的制造步骤中通过使用一个光掩模，需要许多步骤，例如抗蚀剂涂覆、预烘焙、曝光、显影和后烘焙，以及在上述步骤之前和之后的覆盖膜的形成、刻蚀、抗蚀剂剥离、冲洗、干燥等，这使得工艺变得复杂。为了解决该问题，采用沟道刻蚀型底部栅极TFT结构(反向交错TFT)以便通过相同的掩模图形化源极区域和漏极区域以及像素电极。而且，按照本发明，在制造液晶显示器件所需的图形中，例如用于形成布线层或电极的导电层、用于形成预定图形的掩模等，通过能够选择地形成图形的方法来形成它们中的至少一个或多个，由此制造液晶显示器件。

公开(公告)号：CN1819273B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200610059905.1

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN100437308C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410069693.6

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 当像素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动像素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。