公开(公告)号：CN104733033A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510157961.8

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  今井馨太郎 ,  小山润

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管；以及使用除氧化物半导体外的半导体材料所形成的逻辑电路。晶体管的源电极和漏电极之一电连接到逻辑电路的至少一个输入，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。晶体管的截止电流优选为小于或等于1×10-13A。

公开(公告)号：CN102598248A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080047028.0

申请日：2010-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  今井馨太郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/822 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：CN1809425A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480017043.5

申请日：2004-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今井馨太郎 ,  山崎舜平

IPC: B05C5/00

CPC classification number: B05B5/053 ,  B05B5/025 ,  B05B12/12 ,  B05C5/0212 ,  B05C5/0279

Abstract: 本发明能够使由液滴吐出法吐出的液滴的命中精度大幅度提高，在基板上直接形成微细且高精度的图案，以提供可应对基板的大型化的布线、导电层及显示装置的制作方法作为课题，并且，以提供使生产能力和材料的利用率提高的布线、导电层及显示装置的制作方法为课题。本发明的特征在于：主要在具有绝缘表面的基板上用液滴吐出法将抗蚀剂材料或布线材料直接进行图案形成时，可以使液滴命中精度大幅度提高。具体而言，就是在即将用液滴吐出法吐出液滴之前，按照所要的图案，在基板表面上的液滴命中位置扫描带电粒子束，之后，立即使带有与该带电粒子束相反符号的电荷的液滴吐出，使液滴命中位置的控制性能格外提高。

公开(公告)号：CN1577775A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069690.2

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。

公开(公告)号：CN1577028A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071231.8

申请日：2004-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/20 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0289 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。

公开(公告)号：CN102598248B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080047028.0

申请日：2010-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  今井馨太郎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/822 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体器件。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：CN101369401B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN100437308C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410069693.6

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 当像素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动像素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN100382232C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410043013.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今井馨太郎 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。

公开(公告)号：CN1407836A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02142069.6

申请日：2002-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  今井馨太郎

IPC: H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5092 ,  H01L27/3244 ,  Y10S428/917

Abstract: 提供了一种用于提高从发光元件中阴极注入电子的能力并解决其制作过程中有关问题的装置。在本发明中，采用比阴极材料具有较小逸出功的材料来形成阴极与有机化合物层之间的无机导电层。以此方式，可以提高从阴极注入电子的能力。另外，其薄膜可以比采用绝缘材料形成的传统阴极缓冲层的薄膜更厚。因此，可以容易地控制膜厚，并且可以实现制作成本的降低和生产率的提高。