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公开(公告)号：CN100539190C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200310124242.3
申请日：2003-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/00 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/68368
Abstract: 试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。
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公开(公告)号：CN100505254C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200310123558.0
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/563 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。
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公开(公告)号：CN100416840C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200380102145.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1266 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/3272 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L31/105 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/5212 , H01L51/5253 , H01L2221/68368
Abstract: 本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。
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公开(公告)号：CN100382232C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410043013.3
申请日：2004-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。
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公开(公告)号：CN1519775A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310123568.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/077 , G06K19/07703 , G06Q20/341 , G06Q20/40145 , G07F7/1008
Abstract: 本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1517753A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001866.0
申请日：2004-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1335 , G02F1/136 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/133305 , G02F1/133603 , G02F2001/13613 , H01L27/14678 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592
Abstract: 本发明的目的是在不妨碍便携用电子器具的轻巧化或小体积化的情况下，实现高功能化。确切地说，本发明的目的是在不损伤搭载在便携用电子器具的液晶显示器件的机械强度的情况下，实现轻巧化，小体积化。一种包括第一塑料衬底；配置在第一塑料衬底上的发光元件；覆盖该发光元件的树脂；和该树脂连接的绝缘膜；和该绝缘膜连接的半导体元件；和该半导体元件电连接的液晶单元；第二塑料衬底的液晶显示器件，其中，所述半导体元件和所述液晶单元提供在第一塑料衬底和第二塑料衬底之间。
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公开(公告)号：CN1507304A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120283.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L51/5259 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件及其制造方法，该发光器件具有防止氧和潮气到达发光元件的结构。而且，本发明用少的工艺步骤将发光元件用塑料衬底密封而无须封入干燥剂。本发明在粘合提供有发光元件的柔性衬底11和柔性衬底12时，像素区13被其中包含用来维持两个衬底之间间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料16(其粘度大于第二密封材料)环绕着，扩展滴注的几滴透明的第二密封材料17a并使其填充像素区，用第一密封材料和第二密封材料来密封两个衬底。
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公开(公告)号：CN102867736B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210352567.6
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L2221/68368 , Y10T428/14
Abstract: 本发明的名称为转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法，其目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且，本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件，典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括：在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体；通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座；用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体，然后将待要剥离的物体键合到转移部件上；以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。
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公开(公告)号：CN102290422A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110266551.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/02175 , H01L21/28008 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/707 , H01L21/823487 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L29/78603 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2221/68368 , H01L2227/326 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供显示装置及其制造方法、剥离方法及发光装置的制造方法。本发明提供一种简化剥离工序、而且对于大型基板均匀进行剥离、转印的方法。本发明的特征在于：同时进行剥离工序中的第1粘接剂的剥离和第2粘接剂的硬化，简化制造工序。另外，本发明的特征在于：深入研究将至半导体元件的电极形成后的被剥离层转印到规定基板上的时刻。本发明的特征在于：特别地，在大型基板上已形成多个半导体元件的状态下进行剥离时，利用压力差，吸附基板，进行剥离。
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公开(公告)号：CN100392797C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN03147669.4
申请日：2003-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76251 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。
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