公开(公告)号：CN100505254C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  新川悦子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/563 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

公开(公告)号：CN101079397B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200710126413.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN1331197C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02151579.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN1519933A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  新川悦子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/563 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

公开(公告)号：CN101079397A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710126413.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN1423305A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02151579.4

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 将栅金属形成为膜,对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属,制造栅电极。具体地说,对具有所要求的不同性质的每个TFT,通过将光刻胶曝光,制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模,对于具有所要求的不同性质的每个TFT,腐蚀栅金属。这时,由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN101345219B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810210676.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN101345219A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810210676.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。