-
公开(公告)号：CN101409259B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810174893.6
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
-
公开(公告)号：CN101409259A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810174893.6
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
-
公开(公告)号：CN100468809C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN03123191.8
申请日：2003-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/24 , C23C14/243 , H01L27/3295 , H01L51/0008 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L2251/5315
Abstract: 发光器件制造方法及制造发光器件的设备。在本实施方案中，淀积源夹具17与其上执行淀积的物体(衬底13)之间的间距被减小到30厘米或以下，最好为20cm或以下，5-15厘米更好，且淀积源夹具17在淀积过程中根据隔离物(也称为堤坝或挡板)而沿X方向或Y方向移动，快门15被打开或关闭，以便成膜。本发明能够应付伴随将来衬底尺寸进一步增大的淀积设备尺寸的增大。
-
公开(公告)号：CN100449771C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN03106309.8
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
-
公开(公告)号：CN101054657A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710089037.6
申请日：2002-12-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/5806 , B05D1/60 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/56 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/45514 , H01L51/001 , H01L51/5008 , H01L51/56 , Y10S438/905
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10－3乇(0.665Pa)或以下，优选减小到1×10－3乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成，形成高密度EL层。在膜形成室中，通过等离子体进行淀积掩模的清洁。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1452438A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03123191.8
申请日：2003-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/24 , C23C14/243 , H01L27/3295 , H01L51/0008 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L2251/5315
Abstract: 在本实施方案中，淀积源夹具17与其上执行淀积的物体(衬底13)之间的间距被减小到30厘米或以下，最好为20cm或以下，5－15厘米更好，且淀积源夹具17在淀积过程中根据隔离物(也称为堤坝或挡板)而沿X方向或Y方向移动，快门15被打开或关闭，以便成膜。本发明能够应付伴随将来衬底尺寸进一步增大的淀积设备尺寸的增大。
-
公开(公告)号：CN1444427A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03120127.X
申请日：2003-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/12 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0003 , H01L51/0014 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/5228 , H01L51/5262 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 虽然作为选择性地形成高分子形式有机化合物膜的一种方法的喷墨方法能够在一个步骤中涂敷分割用来发射3种(R、G、B)光的有机化合物，但成膜精度很差，难以控制此方法，因而达不到均匀性，且构造易于弥散。相反，根据本发明，用涂敷方法，包含高分子形式材料的膜被形成在连接到薄膜晶体管的下电极的整个表面上，然后用等离子体腐蚀方法对包含高分子形式材料的膜进行腐蚀，从而能够选择性地形成高分子形式材料层。而且，由用来进行白色发光或单色发光的材料构成了有机化合物层，并与颜色改变层或成色层组合，从而实现了全色形成。
-
公开(公告)号：CN102214796B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110131454.9
申请日：2003-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , Y10S257/929
Abstract: 本发明涉及发光器件及其制造方法。提供一种具有高清晰度、大屏幕的象素部分的高可靠性的发光器件。根据本发明的发光器件，在提供在象素电极之间的绝缘体(24)上形成由金属膜制成的辅助电极(21)，因而可以制造低电阻和很薄的导电层(20)，该导电层与辅助电极接触由透明导电膜制成。此外，利用辅助电极(21)以获得与下层上的电极的连接，因而可以用在EL层上形成的透明导电膜将该电极引出。此外，形成由叠置形成的含有氢的薄膜和氮化硅膜的保护膜(32)，由此获得高可靠性。
-
公开(公告)号：CN101694871B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910163880.3
申请日：2003-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/10 , B41J2/04 , B41J2/14201 , B41J2202/09 , H01L51/0005 , H01L51/56
Abstract: 本发明是一种发光装置的制造方法，其特征在于，在减压下将含有发光性材料的溶液朝向阳极或阴极喷射，在上述溶液到达上述阳极或阴极期间，使上述溶液中的溶媒挥发，同时使残存的上述发光性材料在上述阳极或阴极上堆积，形成发光层。利用本发明，在喷涂溶液后不需要用于形成薄膜的焙烧工序，因此，能够提供一种以低成本并且简便的方法实现高生产能力的制造方法。
-
公开(公告)号：CN100544533C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200380108578.9
申请日：2003-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H05B33/10 , B41J2/04 , B41J2/14201 , B41J2202/09 , H01L51/0005 , H01L51/56
Abstract: 本发明是一种发光装置的制造方法，其特征在于，在减压下将含有发光性材料的溶液朝向阳极或阴极喷射，在上述溶液到达上述阳极或阴极期间，使上述溶液中的溶媒挥发，同时使残存的上述发光性材料在上述阳极或阴极上堆积，形成发光层。利用本发明，在喷涂溶液后不需要用于形成薄膜的焙烧工序，因此，能够提供一种以低成本并且简便的方法实现高生产能力的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.03 seconds)
