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公开(公告)号：CN1440221A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03106309.8
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
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公开(公告)号：CN101409259B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810174893.6
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
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公开(公告)号：CN101409259A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810174893.6
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
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公开(公告)号：CN100449771C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN03106309.8
申请日：2003-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/0037 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。
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