公开(公告)号：CN1842745B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200480024785.0

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  福地邦彦 ,  藤并严 ,  村中孝司 ,  中村理

IPC: G03F7/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。

公开(公告)号：CN1842745A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024785.0

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  福地邦彦 ,  藤并严 ,  村中孝司 ,  中村理

IPC: G03F7/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。