公开(公告)号：CN1591881A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410076946.2

申请日：2004-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H02M7/217

Abstract: 通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的IC来构成。根据本发明，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。

公开(公告)号：CN1612351A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。

公开(公告)号：CN100580935C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200410076946.2

申请日：2004-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H02M7/217

Abstract: 通过在绝缘基片上形成的薄膜晶体管，利用运算放大器和二极管的常规结构构成的整流电路，由于运算放大器的低稳定性和低高频性能，不能展示出整流电路的特性。因此，为了整流高频信号，整流电路需要使用绝缘基片外部的IC来构成。根据本发明，放大电路和波形整形电路由薄膜晶体管构成，非整流信号由其信号来切换，因而，能够实现具有卓越高频特性的整流电路。

公开(公告)号：CN100477240C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。