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公开(公告)号：CN100565909C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610006625.4
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02672 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。
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公开(公告)号：CN1702837A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510083724.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井厳
IPC: H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , G03F7/0043 , G03F7/201 , H01L21/28008 , H01L21/32051 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 提供了一种显示器，其可以利用材料通过简化的制造工艺高效率地制造，还提供了制造该显示器的方法。另一个目的是提供一种技术，通过其可以良好受控地将组成显示器的布线图形等形成为预定的形状。在根据本发明形成图形的方法中，在透光衬底上形成掩膜；在衬底和掩膜之上形成包括光催化剂的第一区；用通过衬底的光照射光催化剂以改变第一区的一部分；形成第二区；以及将含有图形形成材料地组分喷射到第二区，这样，形成图形。掩膜不透光。
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公开(公告)号：CN1797757A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510128721.1
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置或显示装置，它们可通过改善材料的使用效率并简化制造过程加以制造，以及这些装置的制造技术。此外，本发明的另一目的在于提供一种以期望形状和良好的附着力形成构成半导体装置或显示装置的配线图案等的技术。通过在它们之间形成包含至少一个孔的导电缓冲层来增加第一和第二导电层之间的附着力。通过用借助烘培固化的颗粒形状的导电材料装填包含至少一个孔的缓冲层的孔形成第二导电层。孔中被固化的导电层起到类似于楔子的作用，且第二导电层以良好的附着力和稳定性形成于第一导电层上。
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公开(公告)号：CN1909188B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200510091142.4
申请日：2005-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/31 , H01L21/3205 , C23C26/00
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及，向夹在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有绝缘膜、半导体膜或导电膜材料的溶液，以形成绝缘膜、半导体膜或导电膜的图案。
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公开(公告)号：CN100568457C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200410083142.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/02 , G02F1/136 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/0212 , G02F1/1368 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3121 , H01L21/76802 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/0016
Abstract: 在通过半导体装置制造的传统过程形成接触孔的情况下，为了在没有形成接触孔的薄膜上形成抗蚀剂，要求形成几乎整个覆盖基片的抗蚀剂。因此，生产能力相当地低。此外，当所应用的抗蚀剂的数量和底基的表面状态没有被完全控制的时候，抗蚀剂扩展到接触孔的区域时，接触缺陷发生。因此要求改善。根据本发明，在形成半导体装置中，是半导体装置的接触孔的部分可能覆盖着液体防护的第一有机薄膜。随后，在没有形成第一有机薄膜的区域上，形成作为绝缘薄膜的第二有机薄膜，且随后移除第一有机薄膜来形成接触孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100483702C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510128721.1
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置或显示装置，它们可通过改善材料的使用效率并简化制造过程加以制造，以及这些装置的制造技术。此外，本发明的另一目的在于提供一种以期望形状和良好的附着力形成构成半导体装置或显示装置的配线图案等的技术。通过在它们之间形成包含至少一个孔的导电缓冲层来增加第一和第二导电层之间的附着力。通过用借助烘培固化的颗粒形状的导电材料装填包含至少一个孔的缓冲层的孔形成第二导电层。孔中被固化的导电层起到类似于楔子的作用，且第二导电层以良好的附着力和稳定性形成于第一导电层上。
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公开(公告)号：CN100530547C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510083724.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 藤井厳
IPC: H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , G03F7/0043 , G03F7/201 , H01L21/28008 , H01L21/32051 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 提供了一种显示器，其可以利用材料通过简化的制造工艺高效率地制造，还提供了制造该显示器的方法。另一个目的是提供一种技术，通过其可以良好受控地将组成显示器的布线图形等形成为预定的形状。在根据本发明形成图形的方法中，在透光衬底上形成掩膜；在衬底和掩膜之上形成包括光催化剂的第一区；用通过衬底的光照射光催化剂以改变第一区的一部分；形成第二区；以及将含有图形形成材料地组分喷射到第二区，这样，形成图形。掩膜不透光。
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公开(公告)号：CN1909188A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200510091142.4
申请日：2005-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/208 , H01L21/288 , H01L21/31 , H01L21/3205 , C23C26/00
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及，向夹在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有绝缘膜、半导体膜或导电膜材料的溶液，以形成绝缘膜、半导体膜或导电膜的图案。
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公开(公告)号：CN1828931A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006625.4
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02672 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L2924/0002 , Y02P80/30 , H01L2924/00
Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。
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公开(公告)号：CN1607639A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410083142.5
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/02 , G02F1/136 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/0212 , G02F1/1368 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3121 , H01L21/76802 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L51/0016
Abstract: 在通过半导体装置制造的传统过程形成接触孔的情况下，为了在没有形成接触孔的薄膜上形成抗蚀剂，要求形成几乎整个覆盖基片的抗蚀剂。因此，生产能力相当地低。此外，当所应用的抗蚀剂的数量和底基的表面状态没有被完全控制的时候，抗蚀剂扩展到接触孔的区域时，接触缺陷发生。因此要求改善。根据本发明，在形成半导体装置中，是半导体装置的接触孔的部分可能覆盖着液体防护的第一有机薄膜。随后，在没有形成第一有机薄膜的区域上，形成作为绝缘薄膜的第二有机薄膜，且随后移除第一有机薄膜来形成接触孔。
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