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公开(公告)号：CN1841789B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200610073777.6
申请日：2006-03-30
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。
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公开(公告)号：CN100386013C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510063741.5
申请日：2005-03-24
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05K13/00 , C09J9/00 , H01L31/0236 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/67132 , H05K1/0393 , H05K3/0058 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49144 , Y10T29/5193 , Y10T29/53174
Abstract: 本发明提供有助于改善电子元件性能的基体保持方法。使用其在180℃×10分钟的检查条件下进行气相色谱质谱分析时检测的气体的总量在以正十四烷换算时为100.5μg/g以下的、具备适当的气体释放特性的粘接带(20)，将塑料薄膜(1)保持在保持框(10)上。将由保持框(10)保持的塑料薄膜(1)投入电子元件(例如太阳能电池)的制造工序，即使在该制造工序中对塑料薄膜(1)实施伴随发热的处理(例如等离子体CVD等的成膜处理)，也能抑制因受热而从粘接带(20)释放的不需要气体的释放量，因此不易发生因该不需要的气体而恶化电子元件性能的情况。
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公开(公告)号：CN1674777A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510063741.5
申请日：2005-03-24
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05K13/00 , C09J9/00 , H01L31/0236 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/67132 , H05K1/0393 , H05K3/0058 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , Y10T29/49131 , Y10T29/49144 , Y10T29/5193 , Y10T29/53174
Abstract: 本发明提供有助于改善电子元件性能的基体保持方法。使用其在180℃×10分钟的检查条件下进行气相色谱质谱分析时检测的气体的总量在以正十四烷换算时为100.5μg/g以下的、具备适当的气体释放特性的粘接带(20)，将塑料薄膜(1)保持在保持框(10)上。将由保持框(10)保持的塑料薄膜(1)投入电子元件(例如太阳能电池)的制造工序，即使在该制造工序中对塑料薄膜(1)实施伴随发热的处理(例如等离子体CVD等的成膜处理)，也能抑制因受热而从粘接带(20)释放的不需要气体的释放量，因此不易发生因该不需要的气体而恶化电子元件性能的情况。
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公开(公告)号：CN1162918C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN97190957.1
申请日：1997-07-23
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/046 , G04C10/02 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制作方法。所述太阳能电池包括：一个第一电极层；一个淀积于所述第一电极层上的光电转换半导体层；一个部分地淀积于所述光电转换半导体层上的树脂层；一个淀积于所述光电转换半导体层和所述树脂层上的第二电极层；和一个淀积于一部分所述第二电极层上的第三电极层，其中，所述第三电极层仅在一个所述树脂层存在的区域内与所述第二电极层相连，以便所述光电转换半导体层产生的电流从所述第二电极层的该区域流到所述第三电极层，所述第二电极层的所述区域通过所述第三电极层连接到一个外部引出电极，以提取所述电流。
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公开(公告)号：CN1739200A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002338.5
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy：H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1739200B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200480002338.5
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy:H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。
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公开(公告)号：CN100399512C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p-i-n结100，和一个透明电极层16。所述p-i-n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
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公开(公告)号：CN1841789A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073777.6
申请日：2006-03-30
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。
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公开(公告)号：CN1519891A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p－i－n结100，和一个透明电极层16。所述p－i－n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
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公开(公告)号：CN1198253A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97190957.1
申请日：1997-07-23
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/046 , G04C10/02 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及所需形状平面型太阳能电池。该太阳能电池包括多个由分隔该平面形成的光电转换器件;多个用于把各个光电转换器件互相串联地连接的导电路径,在多个光电变换器件附近提供导电路径;和两个在与光照射表面相对的表面上露出的引出电极,在串联地连接的诸光电转换器件的两端的两个光电转换器件上,连接这两个电极。
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