公开(公告)号：CN1435897A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102284.7

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN100440538C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1331189C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02156953.3

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  志贺爱子 ,  棚田好文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

公开(公告)号：CN1435864A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1427451A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02156953.3

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  志贺爱子 ,  棚田好文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

公开(公告)号：CN101110437B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710142234.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN1691277B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510076232.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  山崎舜平 ,  高野圭惠 ,  入江裕明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 当利用激光辐照半导体膜时，半导体膜被瞬间熔化并局部膨胀。为了减小由这种膨胀所产生的内部应力，在半导体膜中局部地产生应变。因此，在存在应变的部分和不存在应变的部分引起了变化，并且变化也由应变程度的不同而引起。根据本发明，在激光辐照之后，通过使用包含臭氧的溶液(典型的，臭氧水)形成氧化膜(称作化学氧化物)以形成1至10nm总膜厚的氧化膜，并且，进行用于减小半导体膜的应变的热处理(瞬间加热半导体膜到大约400至1000℃的热处理)。

公开(公告)号：CN100409409C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。