公开(公告)号：CN1691277B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510076232.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  山崎舜平 ,  高野圭惠 ,  入江裕明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 当利用激光辐照半导体膜时，半导体膜被瞬间熔化并局部膨胀。为了减小由这种膨胀所产生的内部应力，在半导体膜中局部地产生应变。因此，在存在应变的部分和不存在应变的部分引起了变化，并且变化也由应变程度的不同而引起。根据本发明，在激光辐照之后，通过使用包含臭氧的溶液(典型的，臭氧水)形成氧化膜(称作化学氧化物)以形成1至10nm总膜厚的氧化膜，并且，进行用于减小半导体膜的应变的热处理(瞬间加热半导体膜到大约400至1000℃的热处理)。

公开(公告)号：CN1691277A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510076232.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  山崎舜平 ,  高野圭惠 ,  入江裕明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 当利用激光辐照半导体膜时，半导体膜被瞬间熔化并局部膨胀。为了减小由这种膨胀所产生的内部应力，在半导体膜中局部地产生应变。因此，在存在应变的部分和不存在应变的部分引起了变化，并且变化也由应变程度的不同而引起。根据本发明，在激光辐照之后，通过使用包含臭氧的溶液(典型的，臭氧水)形成氧化膜(称作化学氧化物)以形成1至10nm总膜厚的氧化膜，并且，进行用于减小半导体膜的应变的热处理(瞬间加热半导体膜到大约400至1000℃的热处理)。