公开(公告)号：CN118102714A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410057392.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。

公开(公告)号：CN100449683C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410079131.X

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森若智昭 ,  山本良明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/477 ,  B23K26/00 ,  G02F1/35

CPC classification number: B23K26/0622 ,  B23K2101/40

Abstract: 本发明的目的是提供一种激光辐射装置、一种激光辐射方法和用能抑制激光束的能量分布的激光辐射方法制造半导体器件的方法。本发明提供包含振荡激光束的激光振荡器的激光辐射装置、具有多个光学系统的透镜组、用于控制透镜组的位置，以便于与脉冲激光束的多个第一脉冲的振荡相同步地从多个光学系统中选择至少两个光学系统的位置控制装置，其中所选择的多个光学系统形成了具有相互倒置或旋转的空间能量分布的多个脉冲。

公开(公告)号：CN100362635C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN02141481.5

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森若智昭

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/2026 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01S3/005

Abstract: 利用位于被辐照表面紧邻的狭缝，清除或减小了激光的衰减区，致使在激光端部获得了陡峭的能量分布。狭缝被置于被辐照表面紧邻的理由是为了抑制激光的扩展。此外，利用平面镜代替狭缝来折叠激光的衰减区，以便相互提高衰减区中的能量密度，致使在激光端部中获得陡峭的能量密度分布。

公开(公告)号：CN111587491A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880079059.0

申请日：2018-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  德丸亮 ,  竹内敏彦 ,  村川努 ,  永松翔 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。

公开(公告)号：CN101488471B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200910003311.2

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小俣贵嗣 ,  森若智昭 ,  大沼英人

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  Y10T156/17

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种减少涉及贴合的不良并其品质均匀的半导体衬底。本发明的半导体衬底的制造方法之一，包括：在衬底贴合室的衬底配置区域中配置第一衬底，该衬底贴合室包括在衬底配置区域中设置有多个开口的衬底支撑台、配置在该多个开口的每一个中的衬底支撑机构、使该衬底支撑机构升降的升降机构；在第一衬底的上方以不接触于第一衬底的方式配置第二衬底；通过利用衬底支撑机构对第一衬底的棱角部之一施加压力，从施加压力的棱角部之一进行第一衬底和第二衬底的贴合。

公开(公告)号：CN101043026A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710088158.9

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森若智昭

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L24/97 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 晶体半导体薄膜，半导体器件及其制造方法：在衬底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上形成薄膜厚度等于或大于200nm且等于或小于1000nm，包含等于或小于10原子百分比的氧，并且氮与硅的相对比例等于或大于1.3且等于或小于1.5的氮化硅薄膜；使用透射氮化硅薄膜的连续波激光或者重复率等于或大于10MHz波长的激光照射非晶半导体薄膜，以熔化和随后晶化该非晶半导体薄膜，从而形成晶体半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1407607A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02141481.5

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森若智昭

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/2026 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01S3/005

Abstract: 利用位于被辐照表面紧邻的狭缝，清除或减小了激光的衰减区，致使在激光端部获得了陡峭的能量分布。狭缝被置于被辐照表面紧邻的理由是为了抑制激光的扩展。此外，利用平面镜代替狭缝来折叠激光的衰减区，以便相互提高衰减区中的能量密度，致使在激光端部中获得陡峭的能量密度分布。

公开(公告)号：CN117355134A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311273190.X

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本公开涉及电容器、半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN102522372A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110431108.2

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN101256987A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810082263.6

申请日：2008-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森若智昭

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/045

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其中在形成于绝缘衬底上的多个半导体膜表面上形成覆盖膜，使用能够使半导体膜在膜厚度方向上完全熔化的激光束照射半导体膜，使得半导体膜完全熔化。在同一个衬底上形成通过控制激光束而晶体的晶面取向被控制的多个晶体半导体膜。此外，使用晶面取向为{001}的晶体区域制造n沟道型薄膜晶体管，并且使用晶面取向为{211}或{101}的晶体区域制造p沟道型薄膜晶体管。