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公开(公告)号：CN118102714A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410057392.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。
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公开(公告)号：CN102456772B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110321142.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶须集合体的制造方法，该晶须集合体的制造方法可以在未成膜种原子层的衬底上直接使不含有种原子的晶须集合体生长。在被形成衬底的对面配置种衬底，并且导入含有硅的气体进行减压化学气相淀积。被形成衬底的种类只要是能够承受进行减压化学气相淀积时的温度的衬底，没有特别的限制。可以使不含有种原子的硅晶须集合体接触于被形成衬底上而直接生长。再者，通过利用所形成的晶须集合体的表面形状特性，可以将形成有晶须集合体的衬底应用于太阳电池或锂离子二次电池等。
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公开(公告)号：CN103178240A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210553567.2
申请日：2012-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/70
CPC classification number: H01M4/70 , B82Y40/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/661
Abstract: 本发明涉及非水二次电池用负极、非水二次电池及其制造方法。本发明的一个方式提供一种非水二次电池，在该非水二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，突起部的顶面、侧面及基础部的顶面被活性物质层覆盖，并且，活性物质层具有多个晶须。另外，活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN102456772A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110321142.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶须集合体的制造方法，该晶须集合体的制造方法可以在未成膜种原子层的衬底上直接使不含有种原子的晶须集合体生长。在被形成衬底的对面配置种衬底，并且导入含有硅的气体进行减压化学气相淀积。被形成衬底的种类只要是能够承受进行减压化学气相淀积时的温度的衬底，没有特别的限制。可以使不含有种原子的硅晶须集合体接触于被形成衬底上而直接生长。再者，通过利用所形成的晶须集合体的表面形状特性，可以将形成有晶须集合体的衬底应用于太阳电池或锂离子二次电池等。
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公开(公告)号：CN110678989A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880016444.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969529A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC classification number: H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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公开(公告)号：CN102810672A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210179710.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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公开(公告)号：CN110462803B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880020208.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B12/00 , H01L29/786 , H03K19/17736
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
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公开(公告)号：CN111587491A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880079059.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。
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公开(公告)号：CN110462803A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020208.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , H03K19/177
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
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