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公开(公告)号：CN110678989B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880016444.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H10B12/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第(56)对比文件张新安;张景文;张伟风;侯洵.氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展.现代显示.2009,(第04期),全文及附图.
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公开(公告)号：CN1581429B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200410056427.X
申请日：2004-08-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/38 , H01L21/40 , H01L21/336
CPC classification number: H01L22/24 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , Y10S438/914
Abstract: 掺杂装置和掺杂方法以及薄膜晶体管的制作方法。本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本发明中，使用接触角正确且精密地监测半导体元件的电特性(薄膜晶体管中的阈值电压等)，通过控制掺杂方法从而控制特性。此外，根据本发明，借助用原地监测特性，可以随时获取信息，并在没有时间延迟的情况下执行反馈。
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公开(公告)号：CN102760697A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210114763.X
申请日：2012-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L29/04
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
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公开(公告)号：CN102760697B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210114763.X
申请日：2012-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L29/04
CPC classification number: H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中，形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜)，对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后，进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化，来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
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公开(公告)号：CN102779854A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210138067.2
申请日：2012-05-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02667 , H01L29/78606 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834201A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010142748.7
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3272 , H01L51/5206 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L2251/5323 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。
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公开(公告)号：CN1620215A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410085982.5
申请日：2004-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3272 , H01L51/5206 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L2251/5323 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。
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公开(公告)号：CN118102714A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410057392.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。
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公开(公告)号：CN111788698A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980016079.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111615743A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008975.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第一导电体上、第二绝缘体上及第三绝缘体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体、第二导电体上的第六绝缘体、第三导电体上的第七绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第八绝缘体、位于第八绝缘体上且与第二氧化物重叠的第四导电体、位于第八绝缘体上且覆盖第四导电体的第九绝缘体以及第九绝缘体上的第十绝缘体，第二绝缘体与第一导电体的侧面接触，第十绝缘体与第四绝缘体接触。
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