公开(公告)号：CN102779854B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。

公开(公告)号：CN105590964B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102687275A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN109560140A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811483289.1

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102779854A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。

公开(公告)号：CN105590964A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102687275B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。