公开(公告)号：CN102779854B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。

公开(公告)号：CN102779854A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210138067.2

申请日：2012-05-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人 ,  吉冈杏子 ,  佐藤裕平 ,  寺岛真理

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。