-
公开(公告)号：CN118575282A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017879.8
申请日：2023-01-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。第一晶体管至第二晶体管共同包括第一绝缘体上的第一金属氧化物及第一金属氧化物上的第一导电体，第一晶体管包括第一金属氧化物上的第二导电体及第二绝缘体以及第二绝缘体上的第三导电体，第二晶体管包括第一金属氧化物上的第四导电体及第三绝缘体以及第三绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体的侧面包括与第四导电体接触的部分，第四导电体的端部包括位于第一绝缘体的端部的外侧的部分，第二绝缘体位于第一导电体与第二导电体之间，金属氧化物与第三导电体隔着第二绝缘体重叠，第三绝缘体位于第一导电体与第四导电体之间，并且金属氧化物与第五导电体隔着第三绝缘体重叠。
-
公开(公告)号：CN118511674A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202380016321.8
申请日：2023-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种显示品质良好的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、以与第一发光器件相邻的方式配置的第二发光器件以及第一绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一EL层的侧面的一部分及第二EL层的侧面的一部分以彼此对置的方式配置，第一绝缘层的一部分配置在由第一EL层的侧端部及第二EL层的侧端部夹持的位置，第一绝缘层与第一EL层的顶面的一部分及第二EL层的顶面的一部分接触。
-
公开(公告)号：CN118435724A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084944.4
申请日：2022-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/805 , H10K71/16
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件以及层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层、第一发光层上的第一公共电极以及第一公共电极上的第二公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层、第二发光层上的第一公共电极以及第一公共电极上的第二公共电极。层设置在第一发光器件与第二发光器件之间。第二公共电极设置在层上。
-
公开(公告)号：CN118176846A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280068448.X
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22 , H10K50/115 , H10K50/125 , H10K50/84 , H10K59/179 , H10K59/38 , H10K71/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。在绝缘表面上包括第一发光器件及第二发光器件。第一侧壁绝缘层接触于第一发光器件所包括的第一像素电极的侧面，第二侧壁绝缘层接触于第二发光器件所包括的第二像素电极的侧面。第一发光器件与第一着色层重叠，第二发光器件与使与第一着色层不同颜色的光透过的第二着色层重叠。第一发光器件与第二发光器件共同使用公共电极。第一发光器件所包括的第一层、第二发光器件所包括的第二层及位于绝缘层的顶面且位于第一侧壁绝缘层与第二侧壁绝缘层之间的材料层都包括同一发光材料，并且彼此分离。
-
公开(公告)号：CN118104420A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069743.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/124 , G02B5/20 , G09F9/30 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K50/19 , H10K50/814 , H10K50/818 , H10K59/10 , H10K59/122 , H10K59/30 , H10K59/38 , H10K59/84 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K102/20
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一着色层、第二着色层以及第一绝缘层，第一发光器件包括第一绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光器件包括第一绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第二着色层与第一着色层所透过的光的波长区域彼此不同，第一绝缘层在第一像素电极与第二像素电极之间具有凹部，第一绝缘层的凹部配置有第三EL层，第一EL层、第二EL层以及第三EL层包含相同的材料，并且，第一像素电极的厚度和凹部的深度之和是第三EL层的厚度以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117652206A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280049634.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第二绝缘层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一发光层的顶面的一部分及侧面、第二发光层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一发光层的顶面的一部分及侧面、第二发光层的顶面的一部分及侧面重叠，公共电极覆盖第二绝缘层，当从截面看时，第二绝缘层的端部呈锥形角度小于90°的锥形形状，并且第二绝缘层覆盖第一绝缘层的侧面的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN117546607A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280044663.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。本发明是包括第一像素、第二像素、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层的显示装置，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层、第一EL层以及第三绝缘层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层、第二EL层以及第四绝缘层上的公共电极，第一绝缘层及第三绝缘层在第一像素电极上具有第一突出部，第一突出部位于第二绝缘层的端部的外侧，第一绝缘层及第四绝缘层在第二像素电极上具有第二突出部，第二突出部位于第二绝缘层的端部的外侧，在剖视显示装置时第一突出部及第二突出部各自的侧面呈锥形形状。
-
公开(公告)号：CN117016044A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280022590.0
申请日：2022-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种能够连续进行从有机化合物膜的加工到密封的工序的制造装置。一种能够连续进行发光器件的图案化工序及在不暴露于大气的情况下对有机层的表面及侧面进行密封的工序的制造装置，可以形成高亮度、高可靠性的微型发光器件。另外，可以将该制造装置组装在按发光器件的工序顺序配置装置的串列式制造装置中，由此可以以高处理量进行制造。
-
公开(公告)号：CN116918486A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280014941.3
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , H10K59/30 , H10K59/123 , H10K71/00
Abstract: 提供一种高清晰度或高分辨率的显示装置。一种包括多个发光元件、受光元件、着色层及第一侧壁的显示装置。发光元件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层、第一发光层上的中间层及第一中间层上的第二发光层上的公共电极。第一像素电极、第一发光层、中间层及第二发光层在各发光元件中分开地设置。着色层以具有与发光元件重叠的区域的方式设置。受光元件包括第二像素电极、第二像素电极上的受光层及受光层上的公共电极。第一侧壁以覆盖第一像素电极的侧面的至少一部分、第一发光层的侧面的至少一部分、第一中间层的侧面的至少一部分及第二发光层的侧面的至少一部分的方式设置。此外，第二侧壁以覆盖第二像素电极的侧面的至少一部分及受光层的侧面的至少一部分的方式设置。
-
公开(公告)号：CN114846625A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080090653.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：包括栅电极、源电极及漏电极的晶体管；晶体管上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；与源电极的顶面接触的第一电极；以及与漏电极的顶面接触的第二电极，其中，第二绝缘体包括与源电极重叠的第一开口部及与漏电极重叠的第二开口部，第三绝缘体在第一开口部及第二开口部的内侧接触于第二绝缘体的侧面及第一绝缘体的顶面，第一电极通过第一开口部配置，并且，第二电极通过第二开口部配置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.048 seconds)
