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公开(公告)号：CN114846625A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080090653.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：包括栅电极、源电极及漏电极的晶体管；晶体管上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；与源电极的顶面接触的第一电极；以及与漏电极的顶面接触的第二电极，其中，第二绝缘体包括与源电极重叠的第一开口部及与漏电极重叠的第二开口部，第三绝缘体在第一开口部及第二开口部的内侧接触于第二绝缘体的侧面及第一绝缘体的顶面，第一电极通过第一开口部配置，并且，第二电极通过第二开口部配置。
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公开(公告)号：CN119487990A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050789.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H10D64/01 , H10D84/83 , H10D84/01 , H10D64/23 , H10D64/27 , H10D64/66 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10B12/00 , H10B41/70
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体、与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体、配置于第三导电体及第四导电体上且在第三导电体于第四导电体之间具有开口的第一绝缘体、配置于第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的其他一部分、第二导电体的顶面的其他一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体、与氧化物的顶面、第一导电体、第二导电体及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体以及配置于第三绝缘体上的第五导电体，第一导电体与第二导电体之间的距离比第三导电体与第四导电体之间的距离小，第二绝缘体包括第一层及第一层上的第二层，第一层包含氮化物绝缘体，第二层包含氧化物绝缘体。
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公开(公告)号：CN119452754A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380033056.4
申请日：2023-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H10D30/01 , H01L21/768 , H10D84/03 , H01L23/522 , H10D84/00 , H10D84/40 , H10D84/83 , H10D64/23 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。在衬底上依次形成氧化物半导体、第一导电体、第一绝缘体、第二绝缘体、无机膜、第一涂敷膜及第二涂敷膜；通过干蚀刻法加工第二涂敷膜而形成岛状的第二涂敷膜；使用岛状的第二涂敷膜作为掩模通过干蚀刻法加工第一涂敷膜而形成岛状的第一涂敷膜且去除抗蚀剂掩模；使用岛状的第一涂敷膜作为掩模通过干蚀刻法依次加工无机膜、第二绝缘体、第一绝缘体及第一导电体而形成岛状的无机膜、岛状的第二绝缘体、岛状的第一绝缘体及岛状的第一导电体且去除岛状的第二涂敷膜；使用岛状的无机膜作为掩模通过干蚀刻法加工氧化物半导体而形成岛状的氧化物半导体且去除岛状的第一涂敷膜；以及通过干蚀刻法去除岛状的无机膜，其中第一绝缘体为氮化物，第二绝缘体为氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119013792A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380034188.9
申请日：2023-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的氧化物；氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体；与第一导电体的顶面接触的第三导电体；与第二导电体的顶面接触的第四导电体；第三导电体及第四导电体上的具有开口的第一绝缘体；配置在第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面、第二导电体的顶面、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体所具有的开口具有与第三导电体和第四导电体之间的区域重叠的区域，第三绝缘体在第一导电体和第二导电体之间的区域中与氧化物的顶面接触，在晶体管的沟道长度方向的截面中，第一导电体和第二导电体之间的距离小于第三导电体和第四导电体之间的距离。
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公开(公告)号：CN101752433A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910178380.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0747 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。
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公开(公告)号：CN118872402A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027107.2
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10B41/70
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体及第一导电体上的第二导电体，第一存储单元及第二存储单元都包括晶体管、电容器及晶体管上的第一绝缘体，晶体管包括金属氧化物、金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第二绝缘体、第二绝缘体上的第五导电体、金属氧化物下的第三绝缘体及第三绝缘体下的第六导电体，电容器包括第七导电体、第七导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第八导电体。通过设置在第一绝缘体中的开口，第四导电体与第七导电体接触。第一导电体及第二导电体都包括与第三导电体接触的部分。第三导电体的一个侧端部与金属氧化物的一个侧端部大致对齐，第四导电体的一个侧端部与金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。
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公开(公告)号：CN117276190A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310699385.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成氧化物、氧化物上的第一导电体及第一导电体上的第二导电体；以覆盖氧化物、第一导电体及第二导电体的方式形成第一绝缘体；以将第二导电体分为第三导电体及第四导电体的方式在第一绝缘体中形成开口；以覆盖氧化物及第一绝缘体的方式沉积第二绝缘体及第三绝缘体；对第二绝缘体及第三绝缘体进行加工来形成第四绝缘体及第五绝缘体；将第四绝缘体及第五绝缘体用作掩模对第一导电体进行加工，来将第一导电体分为第五导电体及第六导电体；以及去除第五绝缘体。
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公开(公告)号：CN101752433B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910178380.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0747 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。
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